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J-GLOBAL ID：202002291155103297   Reference number：20A1884560

Source engineering for bilayer tunnel field-effect transistor with hetero tunnel junction: thickness and impurity concentration

ヘテロトンネル接合を有する二層トンネル電界効果トランジスタのためのソースエンジニアリング:厚さと不純物濃度

Author (7)： Kato Kimihiko (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Kato Kimihiko (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Mori Takahiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Morita Yukinori (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Matsukawa Takashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba, Ibaraki 305-8560, Japan) ,  Takenaka Mitsuru (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Takagi Shinichi (Department of Electrical Engineering and Information Systems, University of Tokyo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 13  Issue： 7  Page： 074004 (5pp)  Publication year： Jul. 2020 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： tunnel junction ,  *FET ,  engineering ,  *source ,  *thickness of strata ,  *impurity concentration ,  channel ,  computer simulation ,  tunnel effect
Semi thesaurus term： ヘテロトンネル接合 ,  *tunnel field effect transistor ,  engineering ,  device simulation ,  interband tunneling ,  オン電流

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 二層 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  ソース ,  エンジニアリング ,  不純物濃度