Pat

J-GLOBAL ID：202003000690081729

成膜装置及び成膜方法

Inventor： 寺本 章伸 ,  諏訪 智之 ,  志波 良信 ,  清水 亮 ,  石井 勝利
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (2)： 特許業務法人弥生特許事務所 ,  井上 俊夫
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017172348
Publication number (International publication number)：2019049016
Patent number：6640160
Application date： Sep. 07, 2017
Publication date： Mar. 28, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 シリコンを含む原料ガスと窒素を含む反応ガスとを反応させて基板上にシリコン窒化膜を成膜するための装置において、 真空雰囲気を形成するための処理容器と、 前記処理容器内に設けられた基板の載置部と、 前記処理容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給部と、 前記処理容器内に窒素を含む反応ガスを供給するための反応ガス供給部と、 前記反応ガス供給部から供給される反応ガスに水素ガスを混合する水素ガス供給部と、 前記反応ガスが前記原料ガスと反応する前に反応ガスと水素ガスとを混合した混合ガスを励起するための紫外線照射部と、を備え、 前記紫外線照射部の紫外線が前記載置部上の基板に照射されないように構成されていることを特徴とする成膜装置。

IPC (4)：

C23C 16/452 ( 200 6.01) ,  C23C 16/42 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/318 ( 200 6.01)

FI (4)：

C23C 16/452 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/318 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-249590   Applicant：株式会社日立製作所
• 保護膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-289860   Applicant：沖電気工業株式会社, 宮崎沖電気株式会社
• 排ガスの無触媒脱硝方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-224638   Applicant：ウシオ電機株式会社, 国立大学法人岐阜大学, 株式会社アクトリー