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J-GLOBAL ID:202003002112375380

ペロブスカイト化合物、薄膜、光吸収材料、光電変換素子及び太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人酒井国際特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2019002849
Publication number (International publication number):2020111531
Application date: Jan. 10, 2019
Publication date: Jul. 27, 2020
Summary:
【課題】層状ペロブスカイトの基板に対する垂直配向性、及び耐熱性に優れた有機・無機ペロブスカイト化合物を提供する。【解決手段】ハロゲン化金属とホスホニウムからなるペロブスカイト化合物であって、ホスホニウムが4個以上の炭素原子を有するペロブスカイト化合物。【選択図】なし
Claim (excerpt):
ハロゲン化金属とホスホニウムからなるペロブスカイト化合物であって、ホスホニウムが4個以上の炭素原子を有するペロブスカイト化合物。
IPC (2):
C07F 9/54 ,  H01L 51/44
FI (2):
C07F9/54 ,  H01L31/04 112Z
F-Term (6):
4H050AA01 ,  4H050AB92 ,  4H050BB20 ,  4H050WA26 ,  5F151AA11 ,  5F151GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • The permittivity and AC conductivity of the layered perovskite [(CH3)(C6H5)3P]2HgI4
  • Permittivity and ac conductivity study of the layered perovskite [(CH3)(C6H5)3P]2MnCl4 showing evide
  • Preparation and characterization of a new series of perovskite-like structures showing evidence of s
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