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J-GLOBAL ID:201703011835576264

半導体デバイス、太陽電池、太陽電池モジュール、及び組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 大塚 康徳 ,  大塚 康弘 ,  高柳 司郎 ,  木村 秀二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2015190311
Publication number (International publication number):2016178274
Application date: Sep. 28, 2015
Publication date: Oct. 06, 2016
Summary:
【課題】半導体デバイスの耐久性を向上させる。【解決手段】光電変換素子100は、基材107、カソード(電極)101、電子取り出し層(バッファ層)102、活性層103、正孔取り出し層(バッファ層)104、仕事関数チューニング層105及びアノード(電極)106がこの順に形成された層構造を有する。活性層103は、半導体化合物と絶縁性ポリマーとを含有している。仕事関数チューニング層がカソード101と電子取り出し層102との間に存在してもよい。【選択図】図3
Claim (excerpt):
一対の電極と、前記一対の電極間に配置された半導体層と、を有する半導体デバイスであって、前記半導体層が、半導体化合物と絶縁性ポリマーとを含有することを特徴とする、半導体デバイス。
IPC (3):
H01L 29/786 ,  H01L 51/44 ,  H01L 51/46
FI (3):
H01L29/78 618B ,  H01L31/04 112Z ,  H01L31/04 164
F-Term (13):
5F110AA14 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG39 ,  5F110GG42 ,  5F151AA11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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