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J-GLOBAL ID：202003003911923559

窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板

Inventor：
林 侑介

About 林 侑介

, 
三宅 秀人

About 三宅 秀人


Applicant, Patent owner：
国立大学法人三重大学

About 国立大学法人三重大学


Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018164953
Publication number (International publication number)：2020037501
Application date： Sep. 03, 2018
Publication date： Mar. 12, 2020
Summary：
【課題】結晶性を向上させた窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板の製造方法は、窒素ガスを含む雰囲気でアルミニウムをターゲットとしてスパッタリングすることにより、基板上に第1窒化アルミニウム層を形成する第1工程と、窒化アルミニウムをターゲットとしてスパッタリングすることにより、前記第1窒化アルミニウム層上に第2窒化アルミニウム層を形成する第2工程と、を有する。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
窒素ガスを含む雰囲気でアルミニウムをターゲットとしてスパッタリングすることにより、基板上に第1窒化アルミニウム層を形成する第1工程と、 窒化アルミニウムをターゲットとしてスパッタリングすることにより、前記第1窒化アルミニウム層上に第2窒化アルミニウム層を形成する第2工程と、を有する 窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  G02F 1/377
FI (5)：
C30B29/38 C ,  C23C14/06 A ,  C23C14/06 P ,  H01L21/203 S ,  G02F1/377
F-Term (51)：
2K102AA08 ,  2K102BA18 ,  2K102BB02 ,  2K102BC01 ,  2K102DA05 ,  2K102DA10 ,  2K102DA20 ,  2K102DD03 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA12 ,  4G077DA14 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SB03 ,  4G077SB10 ,  4G077SC02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029EA09 ,  4K029GA01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB32 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F103RR06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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