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J-GLOBAL ID：201703007670155563

窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板およびその加熱装置

Inventor：
三宅 秀人

About 三宅 秀人


Applicant, Patent owner：
国立大学法人三重大学

About 国立大学法人三重大学


Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016176298
Publication number (International publication number)：2017055116
Application date： Sep. 09, 2016
Publication date： Mar. 16, 2017
Summary：
【課題】表面が平坦でかつ高品質の窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板1の製造方法であって、サファイア基板2を準備する準備工程S10と、サファイア基板2上にAlN緩衝層3を形成する緩衝層形成工程S16とを含み、緩衝層形成工程S16は、サファイア基板2上にAlN緩衝層の前駆体3aを形成するIII族窒化物半導体形成工程S16aと、形成されたAlN緩衝層の前駆体3aの主面からその成分が解離するのを抑制するためのカバー部材サファイア基板102等でAlN緩衝層の前駆体3aの主面を覆った気密状態で、AlN緩衝層の前駆体3aが形成されたサファイア基板2をアニールするアニール工程S16bとを含む。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
サファイア、炭化ケイ素および窒化アルミニウムの少なくとも一つからなる基板上にIII族窒化物半導体からなる緩衝層の前駆体を形成した基板をアニールするに際し、形成された前記III族窒化物半導体の主面から前記III族窒化物半導体の成分が解離するのを抑制するためのカバー部材で前記III族窒化物半導体の主面を覆った気密状態で、前記III族窒化物半導体が形成された前記基板をアニールするアニール工程を含む 窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/324
FI (5)：
H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 S ,  H01L21/203 M ,  H01L21/324 G
F-Term (29)：
5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB01 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045EB11 ,  5F045EB15 ,  5F045HA17 ,  5F103AA04 ,  5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103PP02 ,  5F103PP03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL10 ,  5F152LM09 ,  5F152LN04 ,  5F152MM18 ,  5F152NN05 ,  5F152NN09 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (14)
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Cited by examiner (15)
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