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J-GLOBAL ID：202003004160606761

赤外線検出素子およびその製造方法

Inventor： 下山 勲 ,  ▲高▼畑 智之 ,  高橋 英俊 ,  塚越 拓哉 ,  安永 竣 ,  菅 哲朗
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 東京大学 ,  国立大学法人電気通信大学
Agent (1)： 特許業務法人ドライト国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019106325
Publication number (International publication number)：2020017718
Application date： Jun. 06, 2019
Publication date： Jan. 30, 2020
Summary：

【課題】小型であり、かつ、赤外線をより高感度で検出することができる赤外線検出素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】赤外線検出素子10は、基板12と金属膜14とを備える。基板12は、赤外線IRを透過する。基板12の表面12aには凹部18が形成されている。金属膜14は、凹部18の内面18aを含む基板12の表面12aに設けられている。金属膜14は、基板12との界面でショットキー障壁を形成する。赤外線検出素子10の製造方法は、赤外線IRを透過する基板12の表面12aに凹部18を形成する凹部形成工程と、凹部18の内面18aを含む基板12の表面12aに金属膜14を形成する金属膜形成工程とを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

赤外線を透過し、表面に凹部が形成された基板と、 前記凹部の内面を含む前記基板の表面に設けられ、前記基板との界面でショットキー障壁を形成する金属膜と を備える赤外線検出素子。

IPC (2)：

H01L 31/108 ,  G01J 1/02

FI (2)：

H01L31/10 C ,  G01J1/02 C

F-Term (31)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA34 ,  2G065BB25 ,  5F849AA05 ,  5F849AB01 ,  5F849AB03 ,  5F849BA01 ,  5F849BA02 ,  5F849BA25 ,  5F849BA28 ,  5F849BB03 ,  5F849CB05 ,  5F849CB06 ,  5F849CB07 ,  5F849CB14 ,  5F849CB18 ,  5F849DA05 ,  5F849DA44 ,  5F849EA04 ,  5F849FA05 ,  5F849FA12 ,  5F849HA15 ,  5F849LA01 ,  5F849XB04 ,  5F849XB06 ,  5F849XB24 ,  5F849XB26 ,  5F849XB39 ,  5F849XB51

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光電変換素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-230570   Applicant：キヤノン株式会社
• フォトダイオードとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-099074   Applicant：日本電気株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "SI PROCESS COMPATIBLE NEAR-INFRARED PHOTODETECTOR USING AU/SI NANO-PILLAR ARRAY"