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J-GLOBAL ID：202003004384937372

低温度で高感度なガスセンサ装置およびその製造方法

Inventor： カイセド パンクエヴァ,ノハラ ,  ルノーブル,ダミアン ,  ルトゥルク,ルノー ,  トーマン,ジャン-セバスチャン
Applicant, Patent owner： ルクセンブルク インスティトゥート オブ サイエンス アンド テクノロジー(リスト)
Agent (2)： ▲吉▼川 俊雄 ,  市川 寛奈
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2020515196
Publication number (International publication number)：2020534520
Application date： Sep. 19, 2018
Publication date： Nov. 26, 2020
Summary：

本発明は、ガスセンサ(2)を製造するための方法に関し、本方法は、2つの共面電極(6)を有する基板(4)を提供する工程と、ZnOナノワイヤネットワーク(8)を前記2つの共面電極(6)上に形成する工程とを含む。ZnOナノワイヤネットワーク(8)を前記2つの共面電極(6)上に形成する前記工程は、次のように実行される:液相連続成長法でZnOナノワイヤを合成し;前記合成されたナノワイヤを溶媒中に分散し;溶媒および電極上のZnOナノワイヤを含有する溶液をドロップキャストし;85°Cより下の温度で溶液を乾燥する。本発明はまた、室温などの低温度で作動するガスセンサに関する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ガスセンサ(2)を製造するための方法であって、前記方法は、2つの共面電極(6)を有する基板(4)を提供する工程と、ZnOナノワイヤネットワーク(8)を前記2つの共面電極上に形成する工程とを含み、ZnOナノワイヤネットワーク(8)を前記2つの共面電極上に形成する前記工程が、以下のように実行されることを特徴とする方法: a.液相連続成長法でZnOナノワイヤを合成し、 b.合成された前記ナノワイヤを溶媒中に分散し、 c.前記溶媒および前記共面電極上のZnOナノワイヤを含有する溶液をドロップキャストし、 d.85°Cより下の温度で溶液を乾燥する。

IPC (1)：

G01N 27/12

FI (2)：

G01N27/12 M ,  G01N27/12 A

F-Term (12)：

2G046AA07 ,  2G046AA12 ,  2G046BA08 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC03 ,  2G046EA01 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046FB02 ,  2G046FE48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ナノワイヤデバイス、該ナノワイヤデバイスを含む分析装置、サンプルの加熱処理方法及びサンプルの分離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-046302   Applicant：国立大学法人名古屋大学, 国立大学法人大阪大学, 国立大学法人九州大学, 国立大学法人東京工業大学
• 酸化亜鉛ナノワイヤの製造方法及びその製造方法により製造された酸化亜鉛ナノワイヤ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-331077   Applicant：三星電子株式会社
• 検出素子およびその製造方法、ならびに検出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-223773   Applicant：株式会社KRI
• ガスセンサーおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-133252   Applicant：国立大学法人富山大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Aspect ratio improvement of ZnO nanowires grown in liquid phase by step-by-step sequential growth