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J-GLOBAL ID：202003006760067891

熱電素子材料とその製造方法

Inventor： 岩佐 義宏 ,  ビスリ サトリア ズルカルナエン ,  清水 直
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人理化学研究所
Agent (2)： 堀田 実 ,  野村 俊博
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016137453
Publication number (International publication number)：2018010917
Patent number：6729931
Application date： Jul. 12, 2016
Publication date： Jan. 18, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 熱電素子に用いられる熱電素子材料であって、 多数の量子ドットから構成された量子ドット部を備え、 前記量子ドット部には、電流の担い手となるキャリアが存在しており、 前記多数の量子ドットのうち隣接する量子ドット同士は、互いに分離しているが、前記キャリアが前記量子ドット間で移動できる程度に近接しており、 前記量子ドット部の前記キャリアと電気的に引き合っているイオンを含むイオン媒体を備え、電気的に引き合っている前記キャリアと前記イオンは、前記量子ドット部の表面の近傍に存在しており、 前記量子ドットにおいて伝導帯内に電子が存在する程度に前記イオン媒体は前記量子ドット部に近接している、熱電素子材料。

IPC (2)：

H01L 35/26 ( 200 6.01) ,  H01L 35/16 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 35/26 ,  H01L 35/16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ナノコンポジット熱電変換材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-188477   Applicant：トヨタ自動車株式会社, 株式会社アドマテックス
• 半導体膜、酸化物微粒子分散液、半導体膜の製造方法、及び、薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-205194   Applicant：富士フイルム株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• Energy Level Modification in Lead Sulfide Quantum Dot Thin Films through Ligand Exchange
• Low Driving Voltage and High Mobility Ambipolar Field-Effect Transistors with PbS Colloidal Nanocrys
• Thermoelectric Properties of Colloidal Quantum Dot Solids
• Very High Seebeck Coefficient in Ultra-Thin-Film of Colloidal Quantum Dot Solids