マイクロ波処理装置、マイクロ波処理方法及び化学反応方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：特許業務法人イイダアンドパートナーズ , 飯田敏三 , 赤羽修一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019100565
Publication number (International publication number)：2020080298
Application date： May. 29, 2019
Publication date： May. 28, 2020
Summary：

【課題】マイクロ波の定在波を利用して、従来の定在波加熱に比べて格段に広い領域に配置した被処理対象物の略全体を優れたエネルギー効率で加熱できるマイクロ波処理装置を提供する。【解決手段】シングルモード定在波を利用して被処理対象物を処理するマイクロ波処理装置であって、前記シングルモード定在波がTMmn0(m、nは1以上の整数)もしくはTEm0p(m、pは1以上の整数)モードの定在波であり、前記シングルモード定在波を形成する空胴共振器と、前記シングルモード定在波の共振周波数と一致したマイクロ波を前記空胴共振器内に供給するマイクロ波供給手段と、被処理対象物の状態変化から生じる共振周波数の変化に基づいて、磁界が極大となる位置を一定位置に制御する制御部とを有し、磁界が極大となる位置に被処理対象物を配する、マイクロ波処理装置。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シングルモード定在波を利用して被処理対象物を処理するマイクロ波処理装置であって、前記シングルモード定在波がTMmn0(m、nは1以上の整数)もしくはTEm0p(m、pは1以上の整数)モードの定在波であり、前記シングルモード定在波を形成する空胴共振器と、前記シングルモード定在波の共振周波数と一致したマイクロ波を前記空胴共振器内に供給するマイクロ波供給手段と、前記空胴共振器の共振周波数に基づいて、前記マイクロ波供給手段により供給するマイクロ波の周波数を制御する制御部とを有し、前記被処理対象物を磁界強度が極大となる位置に沿って配する、マイクロ波処理装置。

IPC (4)：

H05B 6/64 , B01J 19/00 , B01J 19/12 , H05B 6/80

FI (4)：

H05B6/64 D , B01J19/00 321 , B01J19/12 A , H05B6/80 Z

F-Term (20)：

3K090AA01 , 3K090AB20 , 4G075AA02 , 4G075AA22 , 4G075AA61 , 4G075AA63 , 4G075BA01 , 4G075BA02 , 4G075BA05 , 4G075BA06 , 4G075CA02 , 4G075CA26 , 4G075DA01 , 4G075DA18 , 4G075EA05 , 4G075EB21 , 4G075FB02 , 4G075FB04 , 4G075FB06 , 4G075FB12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

金属微粒子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-153214 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 株式会社新光化学工業所
マイクロ波加熱装置及びマイクロ波加熱方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-244284 Applicant：昭和電工株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所, 国立大学法人東京工業大学
マイクロ波装置とその流通管
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-172926 Applicant：株式会社サイダ・FDS

Show all

Return to Previous Page