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J-GLOBAL ID:201003046571304887

導電性薄膜のマイクロ波加熱

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須藤 政彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008269248
Publication number (International publication number):2010097884
Application date: Oct. 18, 2008
Publication date: Apr. 30, 2010
Summary:
【課題】特定構造の同軸型空胴共振器を具備したマイクロ波加熱手段を提供する。【解決手段】円柱又は円筒の表面もしくは内面に形成された金属薄膜もしくは導電性薄膜をマイクロ波で均一に加熱する装置であって、金属製の円筒状側壁と、この円筒状側壁の軸方向両端を電磁波的に閉じる金属製の端部側壁と、この空胴共振器内に同軸的に配置された内軸と、前記円筒状側壁における軸方向の中間位置に設けられた結合スロットにマイクロ波導波管もしくはマイクロ波供給アンテナが結合された構造を具備し、前記内軸は、その表面に金属薄膜もしくは導電性薄膜を形成するための円柱状又は円筒状構造体から構成されているマイクロ波加熱装置。【効果】金属薄膜もしくは導電性薄膜を高効率で、均一に、選択的に加熱することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
円柱又は円筒の表面もしくは内面に形成された導電性薄膜をマイクロ波で均一に加熱する装置であって、 金属製の円筒状側壁と、この円筒状側壁の軸方向両端を電磁波的に閉じる金属製の端部側壁で構成される空胴共振器と、この空胴共振器内に同軸的に配置された内軸と、前記円筒状側壁における軸方向の中間位置に設けられた結合スロットにマイクロ波導波管もしくはマイクロ波供給アンテナが結合された構造とを具備し、前記内軸は、その表面に導電性薄膜を形成する円柱状又は円筒状構造体から構成され、前記同軸型空胴共振器にマイクロ波を照射することにより、導電性薄膜表面付近に均一なマイクロ波磁界を形成させ、磁界との相互作用により導電性薄膜を均一に加熱するようにしたことを特徴とするマイクロ波加熱装置。
IPC (3):
H05B 6/64 ,  H05B 6/74 ,  H05B 6/68
FI (4):
H05B6/64 D ,  H05B6/74 A ,  H05B6/74 E ,  H05B6/68 320P
F-Term (10):
3K086AA01 ,  3K086CA11 ,  3K086CC01 ,  3K086CD11 ,  3K086DA15 ,  3K090AA01 ,  3K090AB18 ,  3K090AB20 ,  3K090BA00 ,  3K090CA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
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