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J-GLOBAL ID:202003009065881528
修飾グラフェン、修飾グラフェンの製造方法、修飾グラフェン樹脂複合体、修飾グラフェンシートおよび修飾グラフェン分散体
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
桂田 健志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2020011259
Publication number (International publication number):2020138898
Application date: Jan. 27, 2020
Publication date: Sep. 03, 2020
Summary:
【課題】欠陥濃度が低い、修飾グラフェン、樹脂複合体、及び分散体を提供する。【解決手段】下記式(I)で示される構造を有し、ラマン分光スペクトルにおけるGバンドの強度gとDバンドの強度dの比率(g/d)が、1以上である修飾グラフェン:Gr1=N-Ar1-X1-(Y1)n1(I)(式(I)中、Gr1は単層グラフェンまたは多層グラフェンであり、Ar1は炭素数6〜18のアリーレン基であり、X1は、単結合、炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキレン基等であり、Y1は、X1が単結合である場合はアリーレン基中の少なくとも1つの炭素原子に結合する原子もしくは基、又はX1が単結合でない場合はX1中の炭素原子に結合する原子または基等であり、n1は1以上の整数を表し、n1が2以上の場合Y1は互いに同じ基であっても、異なる基であっても良い。)【選択図】なし
Claim (excerpt):
修飾グラフェンであって、
下記式(I)で示される構造を有し、
ラマン分光スペクトルにおけるGバンドの強度gとDバンドの強度dの比率(g/d)が、1以上であることを特徴とする修飾グラフェン:
Gr1=N-Ar1-X1-(Y1)n1 (I)
(前記式(I)中、
Gr1は単層グラフェンまたは多層グラフェンであり、
Ar1は炭素数6〜18のアリーレン基であり、
X1は、
単結合、
炭素数1〜20の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキレン基、または、
炭素数1〜10の直鎖状、分岐鎖状もしくは環状のアルキレン基中の少なくとも1つの炭素原子を、-O-、-NH-、
IPC (4):
C01B 32/194
, C08L 101/00
, C08K 9/04
, C08K 3/04
FI (4):
C01B32/194
, C08L101/00
, C08K9/04
, C08K3/04
F-Term (26):
4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AC16B
, 4G146AC19B
, 4G146AC26B
, 4G146CB19
, 4G146CB22
, 4G146CB35
, 4J002AA001
, 4J002AB021
, 4J002AC011
, 4J002BB031
, 4J002BC031
, 4J002BD031
, 4J002BF021
, 4J002BG021
, 4J002BG101
, 4J002CC031
, 4J002CD001
, 4J002CL001
, 4J002CP031
, 4J002DA016
, 4J002FB086
, 4J002FD016
, 4J002GM00
, 4J002GQ00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
-
グラフェン構造体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2014-235842
Applicant:国立大学法人広島大学
-
樹脂組成物およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-012709
Applicant:株式会社豊田中央研究所
-
アルケンのアジリジン化法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-246052
Applicant:科学技術振興事業団
-
グラフェン化合物及びその製造方法、蓄電装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2017-134414
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
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