グラフェンナノリボン、及びその製造方法、並びに電子装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：廣田浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019062063
Publication number (International publication number)：2020158373
Application date： Mar. 28, 2019
Publication date： Oct. 01, 2020
Summary：

【課題】電子装置用のグラフェンナノリボンの提供。【解決手段】長さ方向の一方の側の領域の幅方向両端部に式(1)又は(2)の基、他方の側の領域の幅方向両端部にH又は水酸基を有するグラフェンナノリボン。R1はアルキル基、R2はメチレン基又は式(3)を表し、R21はメチル基又はエチル基を表す。【選択図】図6D

Claim (excerpt)：

長さ方向の一方の側の第1領域と、前記長さ方向の他方の側の第2領域と、を有するグラフェンナノリボンであって、前記第1領域が、幅方向の両端部の少なくともいずれかに、下記一般式(1)で表される基及び下記一般式(2)で表される基の少なくともいずれかを有し、前記第2領域が、幅方向の両端部の少なくともいずれかに、水素原子、及び水酸基の少なくともいずれかを有することを特徴とするグラフェンナノリボン。

IPC (5)：

C01B 32/182 , C01B 32/194 , H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 51/05

FI (4)：

C01B32/182 , C01B32/194 , H01L29/91 F , H01L29/91 G

F-Term (10)：

4G146AA01 , 4G146AA15 , 4G146AA17 , 4G146AB07 , 4G146AD16 , 4G146AD28 , 4G146CB12 , 4G146CB13 , 4G146CB32 , 4G146CB37

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ショットキーバリアダイオード及び電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-108177 Applicant：富士通株式会社
化合物、化合物の製造方法及びグラフェンナノリボンの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-118618 Applicant：富士通株式会社
電子デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-173228 Applicant：富士通株式会社

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