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J-GLOBAL ID：202003016940745311

窒化物半導体の製造基板、及び窒化物半導体の製造方法

Inventor： 成塚 重弥
Applicant, Patent owner： 学校法人 名城大学
Agent (1)： 特許業務法人グランダム特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016032707
Publication number (International publication number)：2017149600
Patent number：6711644
Application date： Feb. 24, 2016
Publication date： Aug. 31, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板本体、及び前記基板本体の表面に設けられたGaN層を併せてエッチングして、前記GaN層で形成されて液相成長によって側面が横方向に結晶成長する台形状に形成された複数の凸状部、及び前記基板本体の表面であり、隣り合う前記凸状部の間に設けられ、前記液相成長によって結晶成長しない非結晶成長部を形成し、前記側面から前記非結晶成長部にわたり湾曲して形成する工程と、 液相成長によって横方向に結晶成長した隣り合う前記凸状部のそれぞれの側面の互いの裏面がほぼ平坦に繋がるように、複数の前記凸状部のそれぞれの側面を横方向に結晶成長させる結晶成長工程と、を備えていること特徴とする窒化物半導体の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  C30B 19/12 ( 200 6.01)

FI (2)：

C30B 29/38 D ,  C30B 19/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-012762   Applicant：日亜化学工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電流制御型液相成長法による大気圧下でのc面GaNの成長