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J-GLOBAL ID：202102269837176209   Reference number：21A0361848

Three-Dimensional Device Simulation of Si IGBTs-Investigation of physical models and comparisons with measurements-

Si IGBTの3次元デバイス・シミュレーション-物理モデルの検討と実測結果との比較-

Author (21)： SHIGYO NAOYUKI (東京工大) ,  WATANABE MASAHIRO (東京工大) ,  KAKUSHIMA KUNIYUKI (東京工大) ,  HOSHII TAKUYA (東京工大) ,  FURUKAWA KAZUYOSHI (東京工大) ,  NAKAJIMA AKIRA (産業技術総合研) ,  SATO KATSUMI (三菱電機) ,  MATSUDAI TOMOKO (東芝デバイス&ストレージ) ,  SARAYA TAKUYA (東大 生産技研) ,  TAKAKURA TOSHIHIKO (東大 生産技研) ,  ITO KAZUO (東大 生産技研) ,  FUKUI MUNETOSHI (東大 生産技研) ,  SUZUKI SHIN'ICHI (東大 生産技研) ,  TAKEUCHI KIYOSHI (東大 生産技研) ,  MUNETA IRIYA (東京工大) ,  WAKABAYASHI HITOSHI (東京工大) ,  NISHIZAWA SHIN'ICHI (九大) ,  TSUTSUI KAZUO (東京工大) ,  HIRAMOTO TOSHIRO (東大 生産技研) ,  OHASHI HIROMICHI (東京工大) ,  IWAI HIROSHI (東京工大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
Volume： 120  Issue： 239(SDM2020 22-34)  Page： 36-40 (WEB ONLY)  Publication year： Nov. 12, 2020 
JST Material Number： U2030A  ISSN： 2432-6380  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,  *IGBT ,  *Computer Simulation ,  model ,  *carrier scattering ,  measurement ,  design ,  gate (semiconductor) ,  current-voltage characteristic ,  carrier lifetime ,  calibration ,  electric current ,  electron ,  positive hole ,  physical model ,  *carrier-carrier scattering ,  *computer application ,  *utilization
Semi thesaurus term： 3次元デバイスシミュレーション ,  measurement ,  device design ,  trench gate ,  エミッタ電流

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (30)：

• J. D. Plummer, “Monolithic semiconductor switching device,” U.S. Patent 4199774, Apr. 22, 1980.
• H. W. Becke and C. F. Wheatley, Jr., “Power MOSFET with an anode region,” U.S. Patent 4364073, Dec. 14, 1982.
• A. Nakagawa et al., “Non-luchup 1200 V 75 A bipolar mode ASO,” Tech. Dig. IEDM 1984, pp. 860-861.
• M. Kitagawa et al., “A 4500 V injection enhanced insulated gate bipolar transistor (IEGT) operating in a mode similar to a thyristor,” Tech. Dig. IEDM 1993, pp. 679-682.
• N. Iwamuro and T. Laska, “IGBT history, state-of-the-art, and future prospects,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol.64, pp. 741-752, 2017.

Terms in the title (6)： Si ,  IGBT ,  3次元 ,  シミュレーション ,  物理モデル ,  実測結果