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J-GLOBAL ID：202102271511562350   Reference number：21A0453560

TSV (Through Silicon Via) with Thoroughly Suppressed Plastic Deformation During Heat Treatment

先端ナノテクノロジー技術の開発と実用化 熱処理時における塑性変形を完全に抑制したTSV(スルーシリコンビア)

Author (3)： SASAJIMA YASUSHI (茨城大 大学院理工学研究科) ,  ZARE Yazdan (茨城大 大学院理工学研究科) ,  ONUKI JIN
Material： 化学工業  (Chemical Industry)
Volume： 72  Issue： 2  Page： 117-123  Publication year： Feb. 01, 2021 
JST Material Number： F0101A  ISSN： 0451-2014  CODEN： KAKOA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,  semiconductor ,  *wiring ,  plastic deformation ,  material ,  Computer Simulation ,  *via hole ,  barrier material ,  semiconducting silicon ,  *through silicon via ,  computer application ,  utilization
Semi thesaurus term： *through silicon via ,  finite element analysis simulation

JST classification (1)： Printed circuits  (NA05040O)

Terms in the title (7)： ナノテクノロジー ,  開発 ,  実用化 ,  熱処理 ,  塑性変形 ,  TSV ,  スルーシリコンビア