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J-GLOBAL ID：202102272515157165   Reference number：21A0143940

Characterization of AlGaN multiple-quantum-wells grown on c-plane AlN/sapphire templates with macro-steps

マクロステップを持つc面AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAlGaN量子井戸の物性評価

Author (12)： KOJIMA KAZUNOBU (東北大学 多元物質科学研究所) ,  NAGASAWA YOSUKE (創光科学株式会社) ,  HIRANO AKIRA (創光科学株式会社) ,  IPPONMATSU MASAMICHI (創光科学株式会社) ,  SUGIE RYUICHI ((株)東レリサーチセンター) ,  HONDA YOSHIO (名古屋大学 未来材料・システム研究所) ,  AMANO HIROSHI (名古屋大学 未来材料・システム研究所) ,  AMANO HIROSHI (赤崎記念研究館) ,  AMANO HIROSHI (名古屋大学ベンチャービジネスラボラトリー) ,  AKASAKI ISAMU (名城大学) ,  CHICHIBU SHIGEFUSA (東北大学 多元物質科学研究所) ,  CHICHIBU SHIGEFUSA (名古屋大学 未来材料・システム研究所)
Material： 日本結晶成長学会誌(CD-ROM)  (Journal of the Japanese Association for Crystal Growth (CD-ROM))
Volume： 47  Issue： 3  Page： ROMBUNNO.47-3-04(J-STAGE)  Publication year： 2020 
JST Material Number： F0452C  ISSN： 2188-7268  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,  *substrate (plate) ,  *aluminum compound ,  *gallium compound ,  *nitride ,  quantum well ,  *light emitting diode ,  optical property ,  quantum efficiency ,  optical microscopy ,  energy dispersive X-ray spectrometry ,  transmission electron microscope ,  overlayer ,  excess component ,  cathodoluminescence ,  energy ,  localized state ,  *sapphire substrate ,  dark field microscope ,  clad layer ,  photon energy ,  *aluminum gallium nitride ,  cross-sectional transmission electron microscope
Semi thesaurus term： *AlN ,  *AlGaN ,  微視的構造 ,  optical property ,  internal quantum efficiency ,  cross-sectional transmission electron microscope ,  cathode luminescence ,  キャリア局在化 ,  external quantum efficiency

JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (24)：

• 1) Y. Nagasawa and A. Hirano: Appl. Sci., 8 (2018) 1264.
• 2) K. Kojima, Y. Yoshida, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, and S. F. Chichibu: 2018 European Conference on Optical Communication (ECOC) (2018); Y. Yoshida, K. Kojima, M. Shiraiwa, Y. Awaji, A. Kanno, N. Yamamoto, S. F. Chichibu, A. Hirano, and M. Ippommatsu: 2019 Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) (2019).
• 3) R. G. Banal, M. Funato, and Y. Kawakami: J. Cryst. Growth, 311 (2009) 2834.
• 4) H. Hirayama, N. Maeda, S. Fujikawa, S. Toyoda, and N. Kamata: Jpn. J. Appl. Phys., 53 (2014) 100209.
• 5) M. Shatalov, W. Sun, R. Jain, A. Lunev, X. Hu, A. Dobrinsky, Y. Bilenko, J. Yang, G. A. Garrett, and L. E. Rodak: Semicond. Sci. Technol., 29 (2014) 084007.

Terms in the title (7)： AlN ,  サファイア ,  テンプレート ,  成長 ,  AlGaN ,  量子井戸 ,  物性評価