Pat

J-GLOBAL ID：202103006625206420

太陽電池

Inventor： 王 映樵 ,  塚越 一仁 ,  嶋田 壽一 ,  越田 信義 ,  中村 俊博
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  株式会社カンタム14 ,  学校法人法政大学
Agent (3)： 松沼 泰史 ,  荒 則彦 ,  西澤 和純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020008685
Publication number (International publication number)：2021118209
Application date： Jan. 22, 2020
Publication date： Aug. 10, 2021
Summary：

【課題】紫外光領域の光電変換効率が高く、太陽光に対する光電変換効率に優れる太陽電池を提供する。【解決手段】第1電極2と、第2電極9と、第1電極2と第2電極9との間に配置された光電変換層5を有する太陽電池10であって、光電変換層5が、有機系光電変換材料と半導体量子ドットとを含み、半導体量子ドットは、有機系光電変換材料が電気エネルギーに変換可能な光の波長よりも短い波長の光によって励起され、有機系光電変換材料が電気エネルギーに変換可能な波長の光を発光する発光体であることを特徴とする太陽電池10。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された光電変換層を有する太陽電池であって、 前記光電変換層が、有機系光電変換材料と半導体量子ドットとを含み、 前記半導体量子ドットは、前記有機系光電変換材料が電気エネルギーに変換可能な光の波長よりも短い波長の光によって励起され、前記有機系光電変換材料が電気エネルギーに変換可能な波長の光を発光する発光体であることを特徴とする太陽電池。

IPC (1)：

H01L 51/44

FI (1)：

H01L31/04 112Z

F-Term (10)：

5F151AA01 ,  5F151AA11 ,  5F151CB12 ,  5F151CB13 ,  5F151CB15 ,  5F151CB27 ,  5F151FA02 ,  5F151FA04 ,  5F151FA06 ,  5F151GA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• シリコン量子ドットの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-042772   Applicant：学校法人法政大学, 株式会社カンタム14
• 発光シリコン粒子及び発光シリコン粒子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-101398   Applicant：国立大学法人群馬大学
• 光変換部材及びその製造方法、太陽電池モジュールと太陽電池セル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-205358   Applicant：新日鐵住金株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• “Effects of down-conversion CeO2:Eu3+ nanophosphors in perovskite solar cells”