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J-GLOBAL ID：202103011519528960

結晶欠陥評価方法及び結晶欠陥評価装置

Inventor： 原田 俊太 ,  村山 健太 ,  上田 将之 ,  河田 旺 ,  炭谷 翔悟
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東海国立大学機構 ,  Mipox株式会社 ,  ケーズリサーチサポートオフィス株式会社
Agent (1)： 森下 賢樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020053096
Publication number (International publication number)：2021153128
Application date： Mar. 24, 2020
Publication date： Sep. 30, 2021
Summary：

【課題】結晶の欠陥を評価するための技術を向上させる。【解決手段】結晶欠陥評価方法は、炭化ケイ素(SiC)の結晶を偏光顕微鏡により撮像した画像を取得するステップ(S10)と、画像に含まれる各画素について、その画素の周囲の所定範囲における画素値のばらつきを表す指標値を算出するステップ(S14)と、指標値に基づいて欠陥を検出するステップ(S18)と、を備える。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素(SiC)の結晶を偏光顕微鏡により撮像した画像を取得するステップと、 前記画像に含まれる各画素について、その画素の周囲の所定範囲における画素値のばらつきを表す指標値を算出するステップと、 前記指標値に基づいて欠陥を検出するステップと、 を備える結晶欠陥評価方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/00 ,  G01N 21/21

FI (3)：

H01L21/66 L ,  G01N21/00 B ,  G01N21/21 Z

F-Term (18)：

2G059AA05 ,  2G059BB08 ,  2G059CC02 ,  2G059EE05 ,  2G059FF01 ,  2G059FF03 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ19 ,  2G059KK04 ,  2G059MM02 ,  4M106AA01 ,  4M106BA10 ,  4M106CB19 ,  4M106DH50 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-187637
  
• 画像処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-002828   Applicant：川崎製鉄株式会社
• ウエーハの評価方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-369802   Applicant：信越半導体株式会社, レーザーテック株式会社