Pat

J-GLOBAL ID：202103013210125154

導電体の製造方法、導電体、超伝導送電線、超伝導磁石装置及び超伝導磁気シールド装置

Inventor： 山本 明保 ,  植村 俊己
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学 ,  国立大学法人東京農工大学
Agent (1)： 樋口 天光
Gazette classification：再公表公報
Application number (International application number)：JP2019040192
Publication number (International publication number)：WO2020080279
Application date： Oct. 11, 2019
Publication date： Apr. 23, 2020
Summary：

鉄を含む出発材料の少なくとも表面に、以下の組成式(化1)で表される第1化合物を含む第1層を形成する導電体の製造方法において、(AE1-xAx)(Fe1-yTMy)2(As1-zPz)2・・・(化1)出発材料を、第1元素E1及び第2元素E2を含む気体(G1)に接触させるステップS4を有する。AEは、アルカリ土類金属元素であり、Aは、アルカリ金属元素であり、TMは、遷移金属元素である。xは、0≦x<1を満たし、yは、0≦y<0.5を満たし、zは、0≦z<0.8を満たす。第1元素E1は、AEを含み、第2元素E2は、ヒ素を含む。

Claim (excerpt)：

鉄を含む出発材料の少なくとも表面に、以下の組成式(化1)で表される第1化合物を含む第1層を形成する導電体の製造方法において、 (AE1-xAx)(Fe1-yTMy)2(As1-zPz)2・・・(化1) (a)前記出発材料を、第1元素及び第2元素を含む第1気体に接触させ、前記出発材料に含まれる鉄と、前記第1気体に含まれる前記第1元素及び前記第2元素とを反応させることにより、前記出発材料の少なくとも表面に前記第1層を形成する工程、 を有し、 前記AEは、Ba及びSrからなる群から選択された少なくとも一種の元素であり、 前記Aは、K及びNaからなる群から選択された少なくとも一種の元素であり、 前記TMは、Cr、Mn、Co及びNiからなる群から選択された少なくとも一種の元素であり、 前記xは、0≦x<1を満たし、 前記yは、0≦y<0.5を満たし、 前記zは、0≦z<0.8を満たし、 前記第1元素は、前記AEを含み、 前記第2元素は、ヒ素を含み、 前記xが0<x<1を満たすとき、前記第1元素は、更に前記Aを含み、 前記yが0<y<0.5を満たすとき、前記出発材料は、更に前記TMを含み、且つ、前記(a)工程では、前記出発材料に含まれる前記TM及び鉄と、前記第1気体に含まれる前記第1元素及び前記第2元素とを反応させることにより、前記出発材料の少なくとも表面に前記第1層を形成し、 前記zが0<z<0.8を満たすとき、前記第2元素は、更にリンを含む、導電体の製造方法。

IPC (2)：

H01B 13/00 ,  C01G 1/00

FI (3)：

H01B13/00 565Z ,  H01B13/00 Z ,  C01G1/00 S

F-Term (13)：

4G047JA03 ,  4G047JA05 ,  4G047JC16 ,  4G047KA01 ,  4G047KA17 ,  4G047KE01 ,  4G047KG01 ,  4G047LB01 ,  5G321AA98 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321BA11 ,  5G321DD01