異原子ドープダイヤモンド

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人安富国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019215405
Publication number (International publication number)：2021084837
Application date： Nov. 28, 2019
Publication date： Jun. 03, 2021
Summary：

【課題】異原子のドープ量が多く、高温で超伝導特性を示す異原子ドープダイヤモンドを提供する。【解決手段】酸素原子及び/又は窒素原子が1原子%以上ドープされていることを特徴とする異原子ドープダイヤモンド。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

酸素原子及び/又は窒素原子が1原子%以上ドープされていることを特徴とする異原子ドープダイヤモンド。

IPC (2)：

C01B 32/26 , H01B 12/00

FI (2)：

C01B32/26 , H01B12/00

F-Term (16)：

4G146AA04 , 4G146AA15 , 4G146AB01 , 4G146AC17B , 4G146AC27A , 4G146AC27B , 4G146AC30B , 4G146AD22 , 4G146AD28 , 4G146BC11 , 4G146CB03 , 4G146CB11 , 4G146DA03 , 5G321AA98 , 5G321BA03 , 5G321DD99

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

ドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-231894 Applicant：住友電気工業株式会社
カーボン触媒とその製造方法、燃料電池のカソード触媒層及び燃料電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-118279 Applicant：国立大学法人群馬大学
半導体ダイヤモンド及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-214192 Applicant：住友電気工業株式会社

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Cited by examiner (9)

半導体ダイヤモンド及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-214192 Applicant：住友電気工業株式会社
ドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-231894 Applicant：住友電気工業株式会社
カーボン触媒とその製造方法、燃料電池のカソード触媒層及び燃料電池
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-118279 Applicant：国立大学法人群馬大学

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