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J-GLOBAL ID:200903027266425547
ドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
川瀬 茂樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005231894
Publication number (International publication number):2007045667
Application date: Aug. 10, 2005
Publication date: Feb. 22, 2007
Summary:
【課題】 ダイヤモンドは炭素原子の間隔が狭くて他の元素が格子点を置換して浅いレベルのドナー、アクセプタを作るのが難しい。ドーピングの方法を工夫して低抵抗のn型、p型のダイヤモンドを作ること。 【解決手段】 炭素原子5つ取りだした空孔に価電子数合計が19になる4つの原子を入れることによってp型ダイヤモンドを作る。炭素原子5つ取りだした空孔に価電子数合計が19になる4つの原子を入れることによってn型ダイヤモンドを作る。 【選択図】図53
Claim (excerpt):
格子中から1つの炭素原子Cとこれに結合する4つの炭素原子、合計5つの炭素原子を除き代わりに炭素以外の原子を含む4つの原子を同じ場所へ入れることによってn型又はp型としたことを特徴とするドーパント原子の大きさを補償したダイヤモンド。
IPC (3):
C30B 29/04
, C01B 31/06
, H01L 21/265
FI (4):
C30B29/04 V
, C01B31/06 A
, H01L21/265 Z
, H01L21/265 602A
F-Term (31):
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077BA03
, 4G077DA05
, 4G077DA11
, 4G077DB01
, 4G077EB01
, 4G077FD02
, 4G077HA06
, 4G146AA04
, 4G146AA16
, 4G146AA17
, 4G146AB07
, 4G146AC19B
, 4G146AC30A
, 4G146AD30
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BC09
, 4G146BC25
, 4G146BC33B
, 4G146CB16
, 4K030AA10
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030BB02
, 4K030BB12
, 4K030CA01
, 4K030LA15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
-
特開平04-266020「半導体ダイヤモンド」
-
特開平04-238895「ダイヤモンド膜及びその製造方法」
-
半導体ダイヤモンド及びその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-214192
Applicant:住友電気工業株式会社
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Cited by examiner (4)