Pat
J-GLOBAL ID：202103013270486890

半導体構造および半導体構造の制御方法

Inventor：
井田 次郎

About 井田 次郎

, 
森 貴之

About 森 貴之


Applicant, Patent owner：
学校法人金沢工業大学

About 学校法人金沢工業大学


Agent (1)： 森下 賢樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019147580
Publication number (International publication number)：2021028943
Application date： Aug. 09, 2019
Publication date： Feb. 25, 2021
Summary：
【課題】低消費電力でスイッチング可能な半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体構造2は、ソース14とドレイン16と第1ゲート20とボディコンタクト部24とを含むMOSFETを備える半導体構造であって、ボディコンタクト部24とソース14およびドレイン16との間に、ボディコンタクト部24の不純物の型と反対の型の半導体層26を備え、半導体層26の上に、第1ゲート20に隣接して第2ゲート30を備える。半導体構造2を制御する方法は、第1ゲート電圧、第2ゲート電圧およびボディ電圧を略同じタイミングでターンオフすることを特徴とする。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
ソースとドレインと第1ゲートとボディコンタクト部とを含むMOSFETを備える半導体構造であって、 前記ボディコンタクト部と前記ソースおよび前記ドレインとの間に、前記ボディコンタクト部の不純物の型と反対の型の半導体層を備え、 前記半導体層の上に、前記第1ゲートに隣接して第2ゲートを備える半導体構造。
IPC (3)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/786
FI (5)：
H01L27/088 C ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 617N ,  H01L27/088 B ,  H01L27/088 331E
F-Term (22)：
5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB02 ,  5F048BB05 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE24 ,  5F110EE27 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG23 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM