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J-GLOBAL ID：202103014806901166

炭化ケイ素単結晶の製造方法

Inventor： 原田 俊太 ,  宇治原 徹 ,  畑佐 豪記 ,  村山 健太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東海国立大学機構
Agent (3)： 藤谷 修 ,  一色 昭則 ,  角谷 智広
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017140932
Publication number (International publication number)：2019019037
Patent number：6968408
Application date： Jul. 20, 2017
Publication date： Feb. 07, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 SiとYとCを含む溶液にSiCからなる種結晶の結晶成長面を接触させ、前記種結晶の結晶成長面にSiCを結晶成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、 前記溶液のSiのモル濃度を[Si]、Yのモル濃度を[Y]として、[Y]/([Y]+[Si])が0.05以上0.40以下であり、 前記種結晶の結晶成長面を前記溶液に接触させる前に、前記溶液を結晶成長温度で所定時間保持して前記溶液の炭素濃度を飽和させた後、前記溶液を前記結晶成長温度で保持したまま、前記溶液に前記種結晶の結晶成長面を接触させる、 ことを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ( 200 6.01) ,  C30B 19/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  C30B 19/00 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• SiC単結晶、その製造方法およびその表面清浄化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-039967   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 日立化成株式会社
• 単結晶基板およびそれを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-164573   Applicant：京セラ株式会社

Cited by examiner (2)

• SiC単結晶、その製造方法およびその表面清浄化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-039967   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 日立化成株式会社
• 単結晶基板およびそれを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-164573   Applicant：京セラ株式会社