単結晶基板およびそれを用いた半導体素子

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011164573
Publication number (International publication number)：2013028475
Application date： Jul. 27, 2011
Publication date： Feb. 07, 2013
Summary：

【課題】耐電圧特性を向上させることが可能な単結晶基板を提供する。【解決手段】本発明の単結晶基板は、炭化ケイ素の単結晶からなり、イットリウム、ジルコニウム、マグネシウムおよびカルシウムのうち少なくとも1つを微量添加物として含む。このような微量添加物を含んでいることから、耐電圧特性を向上させることができる。また、本発明の半導体素子は、上記の単結晶基板1と、単結晶基板1上に設けられた、炭化ケイ素からなるp型半導体層3と、単結晶基板1に設けられた第1電極4と、p型半導体層3に設けられた第2電極5とを有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素の単結晶からなり、イットリウム、ジルコニウム、マグネシウムおよびカルシウムのうち少なくとも1つを微量添加物として含む単結晶基板。

IPC (1)：

C30B 29/36

FI (1)：

C30B29/36 A

F-Term (6)：

4G077AB01 , 4G077AB10 , 4G077BE08 , 4G077EB01 , 4G077HA06 , 4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

SiC基板およびSiC基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-374617 Applicant：株式会社NEOMAX
p型シリコンカーバイド層の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-050507 Applicant：木村親夫
炭化珪素単結晶の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-394083 Applicant：トヨタ自動車株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"High surface area silicon carbide doped with zirconium for use as heterogeneous catalyst support"

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