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J-GLOBAL ID：201403014119011678

SiC単結晶、その製造方法およびその表面清浄化方法

Inventor： 三谷 武志 ,  高橋 徹夫 ,  加藤 智久 ,  蔵重 和央 ,  ナチムス セングットバン
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  日立化成株式会社
Agent (2)： 飯田 敏三 ,  宮前 尚祐
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2013039967
Publication number (International publication number)：2014166935
Application date： Feb. 28, 2013
Publication date： Sep. 11, 2014
Summary：

【課題】連続的な結晶成長が可能な溶液引き上げ成長法で、成長炉内の温度勾配や坩堝内の溶液の流れを特別に変更することなく簡便な方法で、結晶成長速度を自由に調節でき、結晶成長速度の増大、減少、種結晶の表面溶解による表面清浄化できるSiC単結晶、その製造方法及びその表面清浄化方法の提供。【手段】Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを連続的に析出・成長させる溶液引き上げ成長法により、該SiCの種結晶と黒鉛坩堝により保持された該溶液との接触面である結晶成長面に、直流もしくは交流電流を通じて得られてなるSiC単結晶、その製造方法及びその表面清浄化方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

SiおよびCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、SiCを連続的に析出・成長させる溶液引き上げ成長法により、該SiCの種結晶と黒鉛坩堝により保持された該溶液との接触面である結晶成長面に、直流もしくは交流電流を通じて得られてなることを特徴とするSiC単結晶。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/00 ,  C30B 30/02

FI (3)：

C30B29/36 A ,  C30B19/00 Z ,  C30B30/02

F-Term (24)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077EC08 ,  4G077ED01 ,  4G077ED06 ,  4G077EG02 ,  4G077EG05 ,  4G077EG11 ,  4G077EG12 ,  4G077EJ01 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA38 ,  4G077QA45 ,  4G077QA52 ,  4G077QA54 ,  4G077QA71 ,  4G077RA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 単結晶の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-128019   Applicant：住友金属工業株式会社
• SiC単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-126039   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• 特開昭63-144191
  
• 特開平4-321591