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J-GLOBAL ID:202103017621918193

金属系超伝導体の超伝導接続構造及びこれを用いた超伝導機器

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2020025964
Publication number (International publication number):2021132090
Application date: Feb. 19, 2020
Publication date: Sep. 09, 2021
Summary:
【課題】 金属系超伝導体の超伝導接続にあたり、表面の研磨加工が不要で、熱処理も不要であると共に、鉛を含有しない超伝導接続構造を提供すること。【解決手段】 二つの金属系超伝導体の間にガリウム、インジウム及びスズを含む液体合金又は熱平衡状態での融点温度が60°C以下となる組成範囲である低融点合金が挟まれている金属系超伝導体の超伝導接続構造。好ましくは、当該低融点合金の組成は、GaxInySnzとし、x、y及びzを原子パーセントで表示したとき、三元系状態図上の以下の点(x、y、z)を囲む範囲を満足する:(90、5、5)、(70、5、25)、(60、10、30)、(50、17、33)、(45、23、32)、(40、30、30)、(39、35、26)、(43、36、21)、(50、35、15)、(54、36、10)、(54、41、5)及び(90、5、5)。【選択図】図2
Claim (excerpt):
金属系超伝導体の超伝導接続構造において、二つの金属系超伝導体の間に、ガリウム、インジウム及びスズを含む液体合金又は熱平衡状態での融点温度が60°C以下となる組成範囲である低融点合金が挟まれていることを特徴とする超伝導接続構造。
IPC (4):
H01F 6/06 ,  C22C 28/00 ,  H01B 12/02 ,  C22C 30/04
FI (4):
H01F6/06 500 ,  C22C28/00 B ,  H01B12/02 ,  C22C30/04
F-Term (2):
5G321BA03 ,  5G321BA06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • Synthesis of InSn alloy below room temparature

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