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J-GLOBAL ID：202103019561062785
垂直磁化膜の前駆体構造、垂直磁化膜構造、およびその製造方法、これらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合膜およびその製造方法、ならびにこれらを用いた垂直磁化型トンネル磁気抵抗接合素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
續 成朗
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019540909
Patent number：6873506
Application date： Aug. 29, 2018
Claim (excerpt)：
【請求項1】 (001)面を持つ立方晶系単結晶または(001)面をもって成長した立方晶系または正方晶系の配向膜を有する基板と、
当該基板の上に位置し、良導電体からなる下地層と、
当該下地層の上に位置し、組成材料としてアルミニウムを含む鉄基合金の生成物層からなる鉄基合金層と、
当該鉄基合金層の上に設けられた所定の金属元素からなる第1の金属膜であって、当該第1の金属膜はアルミニウムを含まない、第1の金属膜と、
当該第1の金属膜の上に設けられた所定の合金元素からなる第2の合金膜であって、当該第2の合金膜はアルミニウムを含む、第2の合金膜と、
を備え、
当該所定の金属元素はスピネル構造の酸化物を構成する金属元素であり、
当該所定の合金元素は、当該合金元素が酸化した場合には、スピネル構造もしくはスピネル構造の陽イオンサイトが不規則化した構造を持つ酸化物となることを特徴とする垂直磁化膜の前駆体構造。
IPC (7)：
H01L 43/10 ( 200 6.01)
, H01L 43/12 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01F 10/14 ( 200 6.01)
, H01F 10/30 ( 200 6.01)
H01L 43/10
, H01L 43/12
, H01L 43/08 M
, H01L 27/105 447
, H01F 10/14
, H01F 10/30
