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J-GLOBAL ID：202203001325430383

Ge単結晶膜の製造方法及び光デバイス

Inventor： 石川 靖彦 ,  中井 哲弥
Applicant, Patent owner： 株式会社SUMCO ,  国立大学法人豊橋技術科学大学
Agent (2)： 鷲頭 光宏 ,  緒方 和文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021070283
Publication number (International publication number)：2022165087
Application date： Apr. 19, 2021
Publication date： Oct. 31, 2022
Summary：

【課題】Ge単結晶の薄い連続膜を従来よりも短い時間で得ることが可能なGe単結晶膜の製造方法及びこれを用いた光デバイスを提供する。 【解決手段】本発明によるGe単結晶膜の製造方法は、シリコンウェーハの表層部を加工してサブミクロン幅のSi細線アレイ14を形成し、Si細線アレイ14上にGe単結晶膜15を化学気相成長法によりエピタキシャル成長させる。シリコンウェーハとしては、例えば、Si支持基板11上に絶縁層12を介して上部Si層13が形成されたSOIウェーハ10を用いることができ、Si細線アレイ14は上部Si層13に形成される。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハの表層部を加工してサブミクロン幅のSi細線アレイを形成し、 前記Si細線アレイ上にGe単結晶膜を化学気相成長法により形成することを特徴とするGe単結晶膜の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/08 ,  C30B 25/04 ,  H01L 21/20

FI (3)：

C30B29/08 ,  C30B25/04 ,  H01L21/20

F-Term (25)：

4G077AA03 ,  4G077BA05 ,  4G077DB04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077GA02 ,  4G077GA06 ,  4G077HA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  5F152LL03 ,  5F152LM04 ,  5F152LM05 ,  5F152NN03 ,  5F152NQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Ge単結晶薄膜の製造方法及び光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-231833   Applicant：国立大学法人東京大学, 国立研究開発法人情報通信研究機構

Cited by examiner (2)

• 基板のパターン化を使用するマスクレスプロセスによる転位及び応力管理と装置製造のための方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2013-506770   Applicant：ハンスフォンケネル, レオニダミリオ
• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-243863   Applicant：アイメック