Ge単結晶薄膜の製造方法及び光デバイス

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：岡田賢治 , 今下勝博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015231833
Publication number (International publication number)：2017098493
Application date： Nov. 27, 2015
Publication date： Jun. 01, 2017
Summary：

【課題】Si基板上で貫通転位を低減させたGe単結晶薄膜を熱処理なく形成できるGe単結晶薄膜の製造方法及び当該製造方法で製造したGe単結晶薄膜を備える光デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係るGe単結晶薄膜の製造方法は、薄い誘電体のLine&SpaceをSi基板上に形成し、その上にGeを成長させる。本製造方法で製造したGe単結晶薄膜の貫通転位は、ライン・アンド・スペースとGe膜厚を調整することで1×105cm-2の貫通転位密度を達成でき、貫通転位を大幅に削減することができる。このため、本光デバイスはキャリアの再結合欠陥が低減するため、レーザであれば閾値電流を下げることができる。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

Si基板上の誘電体薄膜の一部を短冊状に複数除去してマスクを形成し、複数の短冊状の前記Si基板表面を露出させるライン・アンド・スペース形成工程と、前記マスクに覆われていない前記Si基板表面からGeを600°C以上900°C以下でエピタキシャル成長させ、Geで前記マスクを覆うGe積層工程と、を行うGe単結晶薄膜の製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , C30B 29/08 , C30B 25/04 , H01S 5/32 , G02F 1/015 , C23C 16/04

FI (7)：

H01L21/20 , H01L21/205 , C30B29/08 , C30B25/04 , H01S5/32 , G02F1/015 501 , C23C16/04

F-Term (59)：

2K102AA21 , 2K102BA02 , 2K102BB01 , 2K102BC04 , 2K102CA11 , 2K102CA28 , 2K102DD03 , 2K102EA02 , 4G077AA03 , 4G077BA05 , 4G077DB04 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077EA06 , 4G077ED06 , 4G077EE07 , 4G077TB02 , 4G077TC03 , 4G077TC06 , 4G077TF01 , 4G077TJ12 , 4G077TK01 , 4K030AA05 , 4K030BA09 , 4K030BB02 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030DA05 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 5F045AA07 , 5F045AB05 , 5F045AC01 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA67 , 5F045DB02 , 5F045DB05 , 5F152LL03 , 5F152LN03 , 5F152LN32 , 5F152LN34 , 5F152LN35 , 5F152MM09 , 5F152NN03 , 5F152NP13 , 5F152NQ04 , 5F173AH40 , 5F173AP07 , 5F173AP19 , 5F173AP20 , 5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

光デバイス及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-156436 Applicant：台湾積體電路製造股ふん有限公司
格子調整半導体基板の形成
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2004-533596 Applicant：ユニバーシティーオブワーウィク

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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