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J-GLOBAL ID：202203004581754195

基材上に合金膜が形成された複合体の製造方法および複合体

Inventor： 齋藤 秀俊 ,  小松 啓志 ,  梁 少基 ,  南部 信義 ,  中村 淳 ,  南部 忠彦
Applicant, Patent owner： 国立大学法人長岡技術科学大学 ,  中部キレスト株式会社 ,  キレスト株式会社
Agent (1)： 特許業務法人アスフィ国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021024703
Publication number (International publication number)：2022126552
Application date： Feb. 18, 2021
Publication date： Aug. 30, 2022
Summary：

【課題】本発明は、剥離耐性に優れた合金膜を基材上に簡便に形成する方法と、本発明で製造され、剥離耐性の高い合金膜を表面に有する複合体を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明に係る基材上に合金膜が形成された複合体を製造するための方法は、Cdよりイオン化傾向が小さい高標準酸化還元電位金属成分、イオン化傾向がCd以上である低標準酸化還元電位金属成分、及びキレート剤を含む金属キレート錯体溶液を前記基材に塗布する工程、並びに、前記基材の前記金属キレート錯体溶液を塗布した部分を熱処理する工程を含み、前記低標準酸化還元電位金属成分に対する前記高標準酸化還元電位金属成分のモル比が4以上であることを特徴とする。 【選択図】なし

Claim (excerpt)：

基材上に合金膜が形成された複合体の製造方法であって、 Cdよりイオン化傾向が小さい高標準酸化還元電位金属成分、イオン化傾向がCd以上である低標準酸化還元電位金属成分、及びキレート剤を含む金属キレート錯体溶液を前記基材に塗布する工程、並びに、 前記基材の前記金属キレート錯体溶液を塗布した部分を熱処理する工程を含み、 前記低標準酸化還元電位金属成分に対する前記高標準酸化還元電位金属成分のモル比が4以上であることを特徴とする方法。

IPC (1)：

C23C 18/08

FI (1)：

C23C18/08

F-Term (9)：

4K022AA04 ,  4K022AA31 ,  4K022AA41 ,  4K022BA32 ,  4K022DA06 ,  4K022DB01 ,  4K022DB19 ,  4K022DB24 ,  4K022EA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平4-314880号公報
  
• 特開平1-119576号公報
  
• 耐蝕性ヒューム管
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-211521   Applicant：品川燃料株式会社, 株式会社シナネンゼオミック

Cited by examiner (4)

• 特公昭48-009092
  
• 特開昭60-217619
  
• 金属ペースト及び金属膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-113076   Applicant：日本テルペン化学株式会社
• 多孔質建材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-094609   Applicant：株式会社河合楽器製作所