Pat

J-GLOBAL ID：202203011517692956

半導体基板、半導体素子、及び半導体基板の製造方法

Inventor： 倉又 朗人 ,  渡辺 信也 ,  佐々木 公平 ,  八木 邦明 ,  八田 直記 ,  東脇 正高 ,  小西 敬太
Applicant, Patent owner： 株式会社タムラ製作所 ,  株式会社サイコックス ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
Agent (1)： 特許業務法人平田国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017135017
Publication number (International publication number)：2019014639
Patent number：7061747
Application date： Jul. 10, 2017
Publication date： Jan. 31, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 単結晶Ga2O3系基板と多結晶基板が接合され、 前記単結晶Ga2O3系基板の厚さが前記多結晶基板の厚さよりも薄く、 前記多結晶基板の破壊靱性値が前記単結晶Ga2O3系基板の破壊靱性値よりも高く、前記単結晶Ga2O3系基板の主面が(001)面であり、前記多結晶基板が多結晶SiC基板であり、前記単結晶Ga2O3系基板と前記多結晶基板の接合強度が8.3MPa以上である、 半導体基板。

IPC (7)：

C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  C30B 33/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)

FI (9)：

C30B 29/16 ,  C30B 33/06 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 658 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Ga2O3系半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-166425   Applicant：株式会社タムラ製作所, 国立研究開発法人情報通信研究機構
• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-142151   Applicant：株式会社豊田自動織機, 株式会社サイコックス, 独立行政法人産業技術総合研究所