Pat

J-GLOBAL ID：202203012647456576

圧電素子積層体および圧電素子積層体の製造方法

Inventor： 森脇 政仁 ,  太田 浩平 ,  大東 良一 ,  百瀬 輝寿 ,  鈴木 浩助 ,  桑野 博喜 ,  レ バン ミン ,  今野 理洋
Applicant, Patent owner： 大日本印刷株式会社 ,  国立大学法人東北大学
Agent (2)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017243158
Publication number (International publication number)：2019110249
Patent number：7067915
Application date： Dec. 19, 2017
Publication date： Jul. 04, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 金属材料を含む基材と、 前記基材の一方の面上の、第1金属材料を含む第1金属層と、 前記第1金属層の前記基材とは反対側の面上の、窒化アルミニウムを含む第1窒化アルミニウム層と、を有する圧電素子積層体であって、 前記第1窒化アルミニウム層は、X線回折法において2θ=36.0±0.4°(AlN由来のピーク)にピークを有し、 前記第1金属材料は、ニッケルまたはモリブデンであり、 前記第1金属層は、単層で構成され、 前記第1金属層の表面粗さは、算術平均粗さRaで0.100μm以下である、圧電素子積層体。

IPC (6)：

H01L 41/187 ( 200 6.01) ,  H01L 41/047 ( 200 6.01) ,  H01L 41/29 ( 201 3.01) ,  H01L 41/316 ( 201 3.01) ,  H01L 41/113 ( 200 6.01) ,  H01L 41/332 ( 201 3.01)

FI (6)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/047 ,  H01L 41/29 ,  H01L 41/316 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/332

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 超高配向窒化アルミニウム薄膜を用いた圧電素子とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-160568   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, オムロン株式会社, 株式会社フルヤ金属
• 高感度圧電素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-241495   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• サスペンション用基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-160999   Applicant：大日本印刷株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• "Microstructure and piezoelectric properties of AlN thin films grown on stainless steel for the appl