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J-GLOBAL ID：202203012735002810

シリコンウェーハ切断方法

Inventor：
リ シャオガン

About リ シャオガン

, 
竹口 雅樹

About 竹口 雅樹


Applicant, Patent owner：
国立研究開発法人物質・材料研究機構

About 国立研究開発法人物質・材料研究機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2020112218
Publication number (International publication number)：2022011225
Application date： Jun. 30, 2020
Publication date： Jan. 17, 2022
Summary：
【課題】表面の繊細な機能的構造の損傷を回避し、ウェーハを個々のチップに正確に切断し、正確なパターン形成を導けるウェーハ切断方法を提供する。 【解決手段】両面研磨されたシリコンウェーハであって、機能的構造が準備される表面と当該表面と対になる裏面を有する前記シリコンウェーハを準備する工程と、前記シリコンウェーハの表面に複数の貫通穴および機能的構造を形成する工程と、前記貫通穴によって定義された切断経路に沿って前記シリコンウェーハをダイシングする工程とを備え、前記シリコンウェーハから切断分離された個々のチップには、少なくとも1種類の機能が含まれていることを特徴とするシリコンウェーハ切断方法。 【選択図】図1A
Claim (excerpt)：
両面研磨されたシリコンウェーハを準備する工程と; 前記シリコンウェーハに複数の貫通穴を形成すると共に、前記シリコンウェーハの表側表面に複数の機能的構造を形成する工程と; 前記シリコンウェーハの表側表面を保護基板に取り付けることにより、前記シリコンウェーハの裏側表面にパターンを作成する際の損傷から表側表面を保護する工程と; 前記シリコンウェーハをダイシングする工程であって、ウェーハステージ上に前記シリコンウェーハの裏側表面を堅固に取り付けて、前記シリコンウェーハをウェーハキャリアステージに載置する工程と、貫通穴によって規定される経路に沿ってダイシングソーにより前記シリコンウェーハを切断する工程とを含むと共に、 前記ダイシングソーまたは前記ウェーハキャリアステージは回動可能であり、ダイシングソーを定義された前記経路に合わせるように前記回動の状態を制御して、前記シリコンウェーハから切断され分離された矩形形状の各チップが少なくとも1つの機能的構造を含むように切り離すことを特徴とする、シリコンウェーハの切断方法。
IPC (2)：
H01L 21/301 ,  H01J 37/18
FI (3)：
H01L21/78 Q ,  H01L21/78 S ,  H01J37/18
F-Term (8)：
5C033KK09 ,  5F063AA02 ,  5F063BA25 ,  5F063BA32 ,  5F063CA04 ,  5F063DE02 ,  5F063DE32 ,  5F063EE63
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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