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J-GLOBAL ID：201503003035990537

半導体製造装置及び半導体の製造方法

Inventor：
深谷 浩則

About 深谷 浩則

, 
金澤 雅喜

About 金澤 雅喜


Applicant, Patent owner：
株式会社東京精密

About 株式会社東京精密


Agent (2)： 林 孝吉 ,  清水 貴光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2014067433
Publication number (International publication number)：2015191992
Application date： Mar. 28, 2014
Publication date： Nov. 02, 2015
Summary：
【課題】ウェーハ品質への影響を少なくして、簡単に、また低コストでウェーハを切断することができるとともに、ウェーハの径が大口径化しても、大口径化に対応したダイサーを使用しなくてもダイシングを可能にする、半導体製造装置及び半導体の製造方法を提供する。 【解決手段】表面側にバックグラインディングテープGTを貼り付けて裏面側のグラインディングを終えたウェーハWを複数個に分割する半導体製造装置であって、レーザユニット141を有して、該レーザユニット141によりウェーハW上のバックグラインディングテープGTにレーザを照射しバックグラインディングテープGTを複数個に分断し、かつ、バックグラインディングテープGTの分断されたラインL1X、L1Yに沿ってウェーハWの表面にレーザを照射し、ウェーハWにウェーハカット用の分割ラインL2X、L2Yを形成するレーザ照射部14を備える、ようにした。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
表面側にバックグラインディングテープを貼り付けて裏面側のグラインディングを終えたウェーハを複数個に分割する半導体製造装置において、 レーザ照射手段を有して、該レーザ照射手段により前記ウェーハ上の前記バックグラインディングテープにレーザを照射して該バックグラインディングテープを複数個に分断し、かつ、該バックグラインディングテープの分断されたラインに沿って前記ウェーハの表面にレーザを照射して該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成するレーザ照射部を備える、ことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/36 ,  B23K 26/00
FI (5)：
H01L21/78 B ,  H01L21/78 V ,  B23K26/38 Z ,  B23K26/36 ,  B23K26/00 H
F-Term (25)：
4E168AD02 ,  4E168AD18 ,  4E168AE01 ,  4E168CA06 ,  4E168CB01 ,  4E168DA04 ,  4E168HA02 ,  4E168JA11 ,  4E168JA27 ,  5F063AA04 ,  5F063AA36 ,  5F063AA43 ,  5F063CB02 ,  5F063CB06 ,  5F063CB29 ,  5F063CC21 ,  5F063CC46 ,  5F063DD26 ,  5F063DD59 ,  5F063DD81 ,  5F063DF12 ,  5F063DG04 ,  5F063DG28 ,  5F063EE21 ,  5F063EE85
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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