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J-GLOBAL ID：202203015441327663

導電体の製造方法、導電体、超伝導送電線、超伝導磁石装置及び超伝導磁気シールド装置

Inventor： 山本 明保 ,  植村 俊己
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学 ,  国立大学法人東京農工大学
Agent (1)： 樋口 天光
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：9040192
Patent number：7165952
Application date： Oct. 11, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 鉄を含む出発材料の少なくとも表面に、以下の組成式(化1)で表される第1化合物を含む第1層を形成する導電体の製造方法において、(AE1-xAx)(Fe1-yTMy)2(As1-zPz)2・・・(化1) (a)前記出発材料を、第1元素及び第2元素を含む第1気体に接触させ、前記出発材料に含まれる鉄と、前記第1気体に含まれる前記第1元素及び前記第2元素とを反応させることにより、前記出発材料の少なくとも表面に前記第1層を形成する工程、 を有し、 前記AEは、Ba及びSrからなる群から選択された少なくとも一種の元素であり、 前記Aは、K及びNaからなる群から選択された少なくとも一種の元素であり、 前記TMは、Cr、Mn、Co及びNiからなる群から選択された少なくとも一種の元素であり、 前記xは、0≦x<1を満たし、 前記yは、0≦y<0.5を満たし、 前記zは、0≦z<0.8を満たし、 前記第1元素は、前記AEを含み、 前記第2元素は、ヒ素を含み、 前記xが0<x<1を満たすとき、前記第1元素は、更に前記Aを含み、 前記yが0<y<0.5を満たすとき、前記出発材料は、更に前記TMを含み、且つ、前記(a)工程では、前記出発材料に含まれる前記TM及び鉄と、前記第1気体に含まれる前記第1元素及び前記第2元素とを反応させることにより、前記出発材料の少なくとも表面に前記第1層を形成し、 前記zが0<z<0.8を満たすとき、前記第2元素は、更にリンを含む、導電体の製造方法。

IPC (2)：

H01B 13/00 ( 200 6.01) ,  C01G 1/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01B 13/00 565 Z ,  H01B 13/00 Z ,  C01G 1/00 S