レジストパターン形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：杉村憲司 , 杉村光嗣 , 寺嶋勇太
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018086159
Publication number (International publication number)：2019191454
Patent number：7121943
Application date： Apr. 27, 2018
Publication date： Oct. 31, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】下記一般式(I):〔一般式(I)中、R1は、2,2,2-トリフルオロエチル基、2,2,3,3,3-ペンタフルオロプロピル基、3,3,4,4,4-ペンタフルオロブチル基、1H-1-(トリフルオロメチル)トリフルオロエチル基、1H,1H,3H-ヘキサフルオロブチル基、2,2,3,3,4,4,4-へプタフルオロブチル基、または、1,2,2,2-テトラフルオロ-1-(トリフルオロメチル)エチル基である。〕で表される単量体単位(A)と、下記一般式(II):〔一般式(II)中、R2は、水素原子、フッ素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、R3は、水素原子、非置換のアルキル基またはフッ素原子で置換されたアルキル基であり、pおよびqは、0以上5以下の整数であり、p+q=5である。〕で表される単量体単位(B)とを有する共重合体と、溶剤とを含むポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を極端紫外線で露光する工程と、露光された前記レジスト膜を現像する工程と、を含む、レジストパターン形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/039 ( 200 6.01) , G03F 7/20 ( 200 6.01) , C08F 220/10 ( 200 6.01) , C08F 212/08 ( 200 6.01)

FI (4)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/20 521 , C08F 220/10 , C08F 212/08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

レジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-016610 Applicant：日本ゼオン株式会社

Cited by examiner (1)

レジストパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-016610 Applicant：日本ゼオン株式会社

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