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J-GLOBAL ID：202203017962521574

圧電体薄膜、圧電素子および圧電発電装置

Inventor： 桑野 博喜 ,  グエン ホアン フン ,  レ バン ミン ,  大口 裕之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学
Agent (2)： 須田 篤 ,  楠 修二
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018056263
Publication number (International publication number)：2019169612
Patent number：6994247
Application date： Mar. 23, 2018
Publication date： Oct. 03, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 (MgHf)xAl1-xNの薄膜から成り、xは0.3以上0.44以下であることを特徴とする圧電体薄膜。

IPC (5)：

H01L 41/187 ( 200 6.01) ,  H01L 41/113 ( 200 6.01) ,  H01L 41/047 ( 200 6.01) ,  H02N 2/18 ( 200 6.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 41/187 ,  H01L 41/113 ,  H01L 41/047 ,  H02N 2/18 ,  C23C 14/06 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 圧電薄膜共振子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-141846   Applicant：宇部エレクトロニクス株式会社
• 発電装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-109370   Applicant：パナソニック株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• High-Throughput Investigation of a Lead-Free AlN-Based Piezoelectric Material, (Mg,Hf)xAl1-xN