Pat

J-GLOBAL ID：202203018576434078

モザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体及びその製造方法、並びに、異種半導体との接合体用モザイクダイヤモンドウェハ

Inventor： 山田 英明 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明 ,  松前 貴司 ,  倉島 優一 ,  日暮 栄治 ,  高木 秀樹 ,  檜座 秀一 ,  今村 謙 ,  白柳 裕介 ,  吉嗣 晃治 ,  西村 邦彦
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  三菱電機株式会社
Agent (3)： 西澤 和純 ,  大槻 真紀子 ,  大浪 一徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021091708
Publication number (International publication number)：2022184075
Application date： May. 31, 2021
Publication date： Dec. 13, 2022
Summary：

【課題】放熱特性が高く、大型化が可能なモザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体を提供することである。 【解決手段】本開示に係るモザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体10は、複数の単結晶ダイヤモンド基板1A、1B同士の接合境界部B1を有するモザイクダイヤモンドウェハ1と、異種半導体2とが接合された接合体であって、モザイクダイヤモンドウェハ1の、異種半導体2との接合面1aaにおける最大の段差が10nm以下である。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数の単結晶ダイヤモンド基板同士の接合境界部を有するモザイクダイヤモンドウェハと、異種半導体とが接合された接合体であって、 前記モザイクダイヤモンドウェハの、前記異種半導体との接合面における最大の段差が10nm以下である、モザイクダイヤモンドウェハと異種半導体との接合体。

IPC (5)：

C30B 33/06 ,  C30B 29/38 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304

FI (7)：

C30B33/06 ,  C30B29/38 D ,  C30B29/04 A ,  H01L21/02 B ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 621C ,  H01L21/304 621Z

F-Term (26)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077BA04 ,  4G077BB10 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077FB05 ,  4G077FF06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  5F057AA16 ,  5F057BA19 ,  5F057BB02 ,  5F057BB03 ,  5F057BB06 ,  5F057CA11 ,  5F057DA05 ,  5F057EB21 ,  5F057EC17 ,  5F057FA23 ,  5F057GA02 ,  5F057GA03 ,  5F057GB02 ,  5F057GB15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 信頼性および動作寿命を改善した半導体デバイスならびにその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2015-539829   Applicant：エレメントシックステクノロジーズユーエスコーポレイション
• 特許第4849691号公報