スパッタ装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (1)：特許業務法人京都国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021077125
Publication number (International publication number)：2022170863
Application date： Apr. 30, 2021
Publication date： Nov. 11, 2022
Summary：

【課題】プラズマ密度を高くすることができ、それによって成膜速度を速くすることができるスパッタ装置を提供する。【解決手段】第1ターゲットホルダ111及び第2ターゲットホルダ112と、プラズマ生成領域Rの側方に設けられた基板ホルダ16と、プラズマ生成領域R内に電界を生成する電源14と、プラズマ生成領域Rの、該プラズマ生成領域Rを挟んで基板ホルダ16と対向する側方に設けられた、該プラズマ生成領域R内に高周波電磁界を生成する高周波電磁界生成部17と、プラズマ生成領域R内にプラズマ原料ガスを導入するプラズマ原料ガス導入部15とを備え、第1ターゲットホルダ111及び第2ターゲットホルダ112の、高周波電磁界生成部17側の端部には磁界を生成する手段が存在しないスパッタ装置である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

a) 第1ターゲット及び第2ターゲットを、それらの表面が互いに対向するように、それぞれ保持する第1ターゲットホルダ及び第2ターゲットホルダと、 b) 前記第1ターゲットホルダ及び前記第2ターゲットホルダにそれぞれ保持された第1ターゲットと第2ターゲットの間の領域であるプラズマ生成領域の一方の側方に設けられた基板ホルダと、 c) 前記第1ターゲットを挟んで前記プラズマ生成領域の反対側、及び前記第2ターゲットを挟んで前記プラズマ生成領域の反対側にそれぞれ設けられ、互いに逆の極が対向するように磁石が配置された、該第1ターゲット及び該第2ターゲットの表面にそれぞれ第1主磁界及び第2主磁界を生成する第1主磁界生成部及び第2主磁界生成部と、 d) 前記第1ターゲットホルダ及び前記第2ターゲットホルダにそれぞれ所定の電位を付与することにより前記プラズマ生成領域内に電界を生成する電源と、 e) 前記プラズマ生成領域の、該プラズマ生成領域を挟んで前記基板ホルダと対向する側方に設けられた、該プラズマ生成領域内に高周波電磁界を生成する高周波電磁界生成部と、 f) 前記プラズマ生成領域内にプラズマ原料ガスを導入するプラズマ原料ガス導入部とを備え、前記第1ターゲットホルダ及び前記第2ターゲットホルダの、前記高周波電磁界生成部側の端部には磁界を生成する手段が存在しないことを特徴とするスパッタ装置。

IPC (2)：

C23C 14/35 , H05H 1/46

FI (2)：

C23C14/35 C , H05H1/46 L

F-Term (21)：

2G084AA04 , 2G084BB02 , 2G084BB12 , 2G084CC13 , 2G084CC33 , 2G084DD02 , 2G084DD03 , 2G084DD12 , 2G084DD55 , 2G084FF23 , 2G084FF27 , 2G084FF28 , 2G084FF31 , 4K029CA05 , 4K029DA04 , 4K029DC13 , 4K029DC16 , 4K029DC43 , 4K029DC44 , 4K029EA06 , 4K029JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-310531 Applicant：株式会社大阪真空機器製作所, 小川倉一

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