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J-GLOBAL ID：200903028774006947

複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法

Inventor：
植田 吉彦

About 植田 吉彦

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小川 倉一

About 小川 倉一

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原口 孝之

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Applicant, Patent owner：
株式会社大阪真空機器製作所

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小川 倉一

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Agent (4)： 藤本 昇 ,  薬丸 誠一 ,  中谷 寛昭 ,  岩田 徳哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006310531
Publication number (International publication number)：2008127582
Application date： Nov. 16, 2006
Publication date： Jun. 05, 2008
Summary：
【課題】一対のターゲットの中心間距離を短くすることなく、ターゲット間に形成されるプラズマ及び二次電子等の荷電粒子のターゲット間への閉じ込め効果を大きくし、且つカソードへの投入電力を大きくすることができる複合型スパッタ装置及び複合型スパッタ方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、一対のマグネトロンカソード(10a及び20a、10b及び20b)を対向配置し、ターゲット10a,10b間空間に沿って、且つ少なくとも前記ターゲット10a,10bと基板Bとの間を遮るような位置に、一方のターゲット10aから他方のターゲット10bに向かう磁力線を有するような補助磁場空間を発生させてスパッタリングすることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
間隔をおいて互いに対向するように配置される一対のターゲットと、該ターゲット表面に磁力線が弧状となるような湾曲磁場空間を発生させるために設けられる湾曲磁場発生手段と、一対のターゲット間の側方位置に配置される成膜対象となる基板とを備え、一方の湾曲磁場発生手段は、磁力線がターゲット表面の外周部から中心部に向かうように極性が設定され、他方の湾曲磁場発生手段は、磁力線がターゲット表面の中心部から外周部に向かうように極性が設定されているマグネトロンスパッタ装置であって、 前記対向するターゲット間空間に沿うような位置に補助磁場空間を発生させる補助磁場発生手段をさらに備え、該補助磁場発生手段は、補助磁場空間における磁力線が前記一方のターゲットから他方のターゲットに向かうように極性が設定されると共に、少なくとも前記ターゲット間空間と前記基板との間を遮るような位置に前記補助磁場空間を発生させるように前記一対のターゲットの周辺に配置されることを特徴とする複合型スパッタ装置。
IPC (1)：
C23C 14/35
FI (1)：
C23C14/35 C
F-Term (8)：
4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA06 ,  4K029DC04 ,  4K029DC16 ,  4K029DC39 ,  4K029DC43
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • スパッタリング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-419803   Applicant：ソニー株式会社
Cited by examiner (4)
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