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J-GLOBAL ID：202303003852782158

成膜装置とその使用方法

Inventor： 永岡 達司 ,  西中 浩之 ,  吉本 昌広
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社ミライズテクノロジーズ ,  国立大学法人京都工芸繊維大学
Agent (1)： 弁理士法人 快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021213031
Publication number (International publication number)：2023096946
Application date： Dec. 27, 2021
Publication date： Jul. 07, 2023
Summary：

【課題】ミストCVD法において膜質の低下を抑制する。 【解決手段】成膜装置10は、基板2が載置されるステージ12と、ステージ上の基板を加熱するヒータ14と、膜4を構成する材料が溶解しているとともに、少なくとも水を含む溶液6のミストを生成するミスト発生源20と、ミスト発生源で発生したミストをステージ上の基板まで搬送ガスの流れによって搬送する供給経路30と、供給経路の少なくとも一部を加熱するヒータ34とを備える。ヒータによって加熱される供給経路の区間は、供給経路の内面からミストに向けて赤外線(R1、R2)が照射されるミスト加熱区間HSとなる。ミスト加熱区間では、供給経路の内面が、ミスト中に存在する元素の酸化物又は水酸化物の少なくとも一方を含む被覆層40で覆われている。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板(2)の表面に膜(4)を形成する成膜装置(10、110、210、310)であって、 前記基板が載置されるステージ(14)と、 前記膜を構成する材料が溶解しているとともに、少なくとも水を含む溶液(6)のミスト(7)を生成するミスト発生源(20)と、 前記ミスト発生源で発生した前記ミストを搬送ガスの流れによって前記ステージ上の前記基板まで搬送する供給経路(30)と、 前記供給経路の少なくとも一部を加熱するヒータ(34)と、 を備え、 前記ヒータによって加熱される前記供給経路の区間は、前記供給経路の内面(30a)から前記ミストに向けて赤外線(R1、R2)が照射されるミスト加熱区間(HS)となり、 前記ミスト加熱区間では、前記供給経路の前記内面が、前記ミスト中に存在する元素の酸化物又は水酸化物の少なくとも一方を含む被覆層(40)で覆われている、 成膜装置。

IPC (3)：

H01L 21/365 ,  H01L 21/368 ,  C23C 16/455

FI (3)：

H01L21/365 ,  H01L21/368 Z ,  C23C16/455

F-Term (32)：

4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030DA01 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  5F045AA03 ,  5F045AB40 ,  5F045AC15 ,  5F045AF01 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045DP07 ,  5F045DP15 ,  5F045DQ06 ,  5F045EC07 ,  5F045EC08 ,  5F045EE02 ,  5F045EE07 ,  5F045EE11 ,  5F045EF02 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10 ,  5F053AA50 ,  5F053BB60 ,  5F053DD20 ,  5F053GG01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 成膜装置及び成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-122695   Applicant：信越化学工業株式会社