磁気素子、磁気メモリチップ、磁気記憶装置及び磁気素子の書き込み方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019083195
Publication number (International publication number)：2020181869
Patent number：7352930
Application date： Apr. 24, 2019
Publication date： Nov. 05, 2020
Claim (excerpt)：

【請求項1】参照層と、磁化自由層と、前記参照層と前記磁化自由層の間に挟まれるトンネル障壁層とを少なくとも含む積層構造を備え、前記磁化自由層の面内形状は、回転対称性又は2軸以上に対して鏡面対称性を有し、前記磁化自由層に電圧と外部磁界が実質的に印加されていない状態で、前記磁化自由層の磁化は、前記磁化自由層からトンネル障壁層に向かう第1方向と磁化自由層の磁化方向との間の角度θ(0)が、0°<θ(0)<90°、又は90°<θ(0)<180°の方向であり、面内成分の角度φ(0)が0°<|φ(0)|<90°または90°<|φ(0)|<180°の方向であり、但し角度φ(0)は、面内方向に異方性を与える第一群:形状磁気異方性による磁界、第二群:立方磁気異方性又は誘導磁気異方性の少なくとも1つによる磁界、および第三群:磁化自由層以外の磁性層からの漏洩磁界を第1磁界と呼び、層間交換結合による磁界、交換バイアス磁界、及び前記層間交換結合による磁界と前記交換バイアス磁界の合成磁界のいずれかを第2磁界と呼ぶとき、前記第1磁界又は前記第2磁界の少なくとも1つによる磁界、のうちの一つによる容易磁化方向となす角度であり、前記トンネル障壁層の面積抵抗が10Ωμm2以上500μm2以下であり、双極性電圧の印加に対応して磁化自由層の磁化方向が双極反転する特性を有することを特徴とする磁気素子。

IPC (2)：

H10B 61/00 ( 202 3.01) , H10N 50/10 ( 202 3.01)

FI (2)：

H10B 61/00 , H10N 50/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

双極性電圧書き込み型磁気メモリ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-141940 Applicant：国立研究開発法人産業技術総合研究所
磁気トンネル接合素子及び半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-184888 Applicant：富士通株式会社
電圧駆動型スピントロニクス三端子素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-198496 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Show all

Return to Previous Page