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J-GLOBAL ID:202303018390634821

量子型赤外線センサ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 弁理士法人グローバル知財
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2019138335
Publication number (International publication number):2021022662
Patent number:7291942
Application date: Jul. 26, 2019
Publication date: Feb. 18, 2021
Claim (excerpt):
【請求項1】 n型もしくはp型の何れか又は両方のドープ化合物半導体層に挟まれたアンドープ化合物半導体層を有する赤外線センサであって、 前記アンドープ化合物半導体層は、異種半導体のヘテロ接合で、ターゲットとする赤外線を吸収し得るバンドギャップのバンド内準位を形成する量子ドット領域をヘテロ界面に備え、 前記量子ドット領域によって、フェルミ準位より低い伝導バンドのエネルギー準位が形成され、前記ヘテロ界面に溜まる電子を赤外線によって前記量子ドット領域に形成されるバンド内準位に励起させ、光電流として検出することを特徴とする量子型赤外線センサ。
IPC (1):
H01L 31/10 ( 200 6.01)
FI (1):
H01L 31/10 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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