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J-GLOBAL ID：202403008939433558

面発光半導体レーザ素子の製造方法及び面発光半導体レーザ素子

Inventor：
野田 進

About 野田 進

, 
小泉 朋朗

About 小泉 朋朗

, 
江本 渓

About 江本 渓


Applicant, Patent owner：
国立大学法人京都大学

About 国立大学法人京都大学

, 
スタンレー電気株式会社

About スタンレー電気株式会社


Agent (3)： 吉田 雅比呂 ,  高野 信司 ,  デロイトトーマツ弁理士法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2023055673
Publication number (International publication number)：2024143148
Application date： Mar. 30, 2023
Publication date： Oct. 11, 2024
Summary：
【課題】空孔層と活性層とを近接させ共振効果を高くすることが可能であり、高品質の活性層を有し、低閾値かつ高効率の面発光半導体レーザ素子を製造する方法及び面発光半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】(a)基板上にホール形成準備層を形成し、(b)ホール形成準備層に、格子点の各々に2次元的に配置されたホールを形成して、ホール形成層を形成し、(c)ホール形成層の表面を酸化させて酸化膜を形成した後、酸化膜を除去し、(d)ホールを閉塞するファセット成長を行って第1の埋込層を形成し、(e)第1の埋込層を平坦に埋め込む第2の埋込層の成長を行って、ホールに対応する空孔を有する空孔層を含むガイド層を形成し、(f)ガイド層上に活性層を含む半導体層の結晶成長を行う。 【選択図】図3
Claim (excerpt)：
面発光半導体レーザ素子の製造方法であって、 (a)基板上にホール形成準備層を形成し、 (b)前記ホール形成準備層に、格子点の各々に2次元的に配置されたホールを形成して、ホール形成層を形成し、 (c)前記ホール形成層の表面を酸化させて酸化膜を形成した後、前記酸化膜を除去し、 (d)前記ホールを閉塞するファセット成長を行って第1の埋込層を形成し、 (e)前記第1の埋込層を平坦に埋め込む第2の埋込層の成長を行って、前記ホールに対応する空孔を有する空孔層を含む第1のガイド層を形成し、 (f)前記第1のガイド層上に活性層を含む半導体層の結晶成長を行う、製造方法。
IPC (1)：
H01S 5/11
FI (1)：
H01S5/11
F-Term (7)：
5F173AC53 ,  5F173AC70 ,  5F173AF60 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP33 ,  5F173AR23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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