面発光レーザ素子及び面発光レーザ素子の製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人レクスト国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018164927
Publication number (International publication number)：2020038892
Application date： Sep. 03, 2018
Publication date： Mar. 12, 2020
Summary：

【課題】フォトニック結晶層を伝搬する光波に対する結合係数が大きく、低閾値電流密度で発振動作が可能な、フォトニック結晶を備えた面発光レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体からなる面発光レーザ素子であって、第1導電型の第1のクラッド層と、第1のクラッド層上に形成され、層に平行な面内において2次元的な周期性を有して配された空孔を有するフォトニック結晶層14Pと、当該フォトニック結晶層上に形成されて当該空孔を閉塞する第1の埋込層14Aと、を有する第1導電型の第1のガイド層14と、第1の埋込層上に結晶成長された第2埋込層21と、第2の埋込層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第2のガイド層と、第2のガイド層上に形成された第1導電型と反対導電型の第2導電型の第2のクラッド層と、を有し、第1の埋込層の表面は、当該空孔に対応した表面位置に配されたピットを備える。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

III族窒化物半導体からなる面発光レーザ素子であって、第1導電型の第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成され、層に平行な面内において2次元的な周期性を有して配された空孔を有するフォトニック結晶層と、前記フォトニック結晶層上に形成されて前記空孔を閉塞する第1の埋込層と、を有する前記第1導電型の第1のガイド層と、前記第1の埋込層上に結晶成長された第2埋込層と、前記第2の埋込層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2のガイド層と、前記第2のガイド層上に形成された前記第1導電型と反対導電型の第2導電型の第2のクラッド層と、を有し、前記第1の埋込層の表面は、前記空孔に対応した表面位置に配されたピットを備える面発光レーザ素子。

IPC (4)：

H01S 5/183 , H01S 5/323 , C30B 29/38 , C30B 25/18

FI (4)：

H01S5/183 , H01S5/323 610 , C30B29/38 D , C30B25/18

F-Term (62)：

4G077AA03 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077FF10 , 4G077FG03 , 4G077FG18 , 4G077FJ06 , 4G077GA01 , 4G077GA03 , 4G077GA05 , 4G077GA06 , 4G077HA02 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TB02 , 4G077TB05 , 4G077TC02 , 4G077TC03 , 4G077TC14 , 4G077TC17 , 4G077TC19 , 4G077TK04 , 4G077TK06 , 4G077TK10 , 5F045AA00 , 5F045AA08 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB33 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AE29 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA52 , 5F045DA55 , 5F045DA59 , 5F045HA03 , 5F045HA13 , 5F173AC70 , 5F173AF52 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AP16 , 5F173AP30 , 5F173AP33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-273607 Applicant：住友電気工業株式会社
III族窒化物系面発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-303158 Applicant：住友電気工業株式会社
窒化物半導体の微細構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2009-178421 Applicant：キヤノン株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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