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J-GLOBAL ID：202403011006535725

AlN単結晶の製造方法およびAlN単結晶

Inventor： 福山 博之 ,  大塚 誠 ,  安達 正芳 ,  朴 ▲民▼秀 ,  渡邉 康弘
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東北大学 ,  DOWAホールディングス株式会社
Agent (3)： 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  福井 敏夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2023023851
Publication number (International publication number)：2024117642
Application date： Feb. 17, 2023
Publication date： Aug. 29, 2024
Summary：

【課題】安価かつ高い成長速度でAlN単結晶を製造することができるAlN単結晶の製造方法およびAlN単結晶を提供する。 【解決手段】窒素含有ガス雰囲気下において、Alを含む合金の融液を、窒化ホウ素に接触させた状態で、前記融液中でAlN結晶が分解される温度範囲のうちの最低温度より高い温度に加熱する加熱工程と、前記加熱工程の後、前記融液の一部または全部を、前記合金の液相線温度以上かつ前記最低温度よりも低い温度まで低下させることにより、前記融液中でAlN結晶を析出させる析出工程と、を含む。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒素含有ガス雰囲気下において、Alを含む合金の融液を、窒化ホウ素に接触させた状態で、前記融液中でAlN結晶が分解される温度範囲のうちの最低温度より高い温度に加熱する加熱工程と、 前記加熱工程の後、前記融液の一部または全部を、前記合金の液相線温度以上かつ前記最低温度よりも低い温度まで低下させることにより、前記融液中でAlN結晶を析出させる析出工程と、を含むAlN単結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/04

FI (2)：

C30B29/38 C ,  C30B19/04

F-Term (8)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077BE13 ,  4G077CC04 ,  4G077ED02 ,  4G077HA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化アルミニウム結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-087979   Applicant：国立大学法人東北大学
• 窒化アルミニウム結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2020-141981   Applicant：国立大学法人東北大学