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J-GLOBAL ID:202403011924190340

二酸化炭素を循環利用する脱硫方法及び脱硫システム

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 弁理士法人大谷特許事務所
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2023011391
Publication number (International publication number):2024106903
Application date: Jan. 27, 2023
Publication date: Aug. 08, 2024
Summary:
【課題】二酸化炭素の排出量を削減することのできる、脱硫方法を提供する。 【解決手段】炭酸カルシウムを脱硫剤として利用する脱硫方法であって、脱硫剤の少なくとも一部として、当該脱硫方法を採用している施設から排出される脱硫済みの排ガス(C)中の二酸化炭素を原料として生成した排ガス由来炭酸カルシウム(X)を利用するようにした。そして、排ガス由来炭酸カルシウム(X)は、生体内で合成されるアミン、人工的に合成されるアミン、及びこれらアミンから誘導される基を含むポリマーからなる群から選択される1種以上のアミン化合物(A)の存在下で、カルシウムイオン含有水溶液(B)と、前記排ガス(C)中の二酸化炭素由来の炭酸イオンとを接触させる製造方法であって、前記アミン化合物(A)に起因する前記カルシウムイオン含有水溶液(B)のpH上昇を、前記排ガス(C)を利用して抑制する工程(S)を含む製造方法により製造されるものとした。 【選択図】図1
Claim (excerpt):
炭酸カルシウムを脱硫剤として利用する脱硫方法であって、 前記脱硫剤の少なくとも一部として、前記脱硫方法を採用している施設から排出される脱硫済みの排ガス(C)中の二酸化炭素を原料として生成した排ガス由来炭酸カルシウム(X)を利用し、 前記排ガス由来炭酸カルシウム(X)は、 生体内で合成されるアミン、人工的に合成されるアミン、及びこれらアミンから誘導される基を含むポリマーからなる群から選択される1種以上のアミン化合物(A)の存在下で、カルシウムイオン含有水溶液(B)と、前記排ガス(C)中の二酸化炭素由来の炭酸イオンとを接触させる製造方法であって、前記アミン化合物(A)に起因する前記カルシウムイオン含有水溶液(B)のpH上昇を、前記排ガス(C)を利用して抑制する工程(S)を含む製造方法により製造される、脱硫方法。
IPC (5):
B01D 53/62 ,  B01D 53/14 ,  B01D 53/78 ,  B01D 53/50 ,  C01F 11/46
FI (7):
B01D53/62 ,  B01D53/14 200 ,  B01D53/14 100 ,  B01D53/78 ,  B01D53/50 ,  B01D53/50 245 ,  C01F11/46 102K
F-Term (55):
4D002AA09 ,  4D002AA12 ,  4D002AC04 ,  4D002AC05 ,  4D002AC10 ,  4D002BA02 ,  4D002BA14 ,  4D002CA01 ,  4D002CA06 ,  4D002CA20 ,  4D002DA31 ,  4D002DA32 ,  4D002DA66 ,  4D002EA02 ,  4D002EA13 ,  4D002EA14 ,  4D002FA02 ,  4D002GA01 ,  4D002GB08 ,  4D002GB09 ,  4D002GB11 ,  4D002GB20 ,  4D020AA03 ,  4D020AA06 ,  4D020BA02 ,  4D020BA09 ,  4D020BA16 ,  4D020BA19 ,  4D020BA21 ,  4D020BB01 ,  4D020BB03 ,  4D020BC06 ,  4D020CA06 ,  4D020CB01 ,  4D020CB03 ,  4D020CB25 ,  4D020CC01 ,  4D020CC12 ,  4D020CC21 ,  4D020DA03 ,  4D020DB06 ,  4D020DB07 ,  4D020DB08 ,  4D020DB20 ,  4G076AA14 ,  4G076AB24 ,  4G076AB26 ,  4G076BA09 ,  4G076BA30 ,  4G076BB03 ,  4G076BC02 ,  4G076BC06 ,  4G076BE11 ,  4G076CA02 ,  4G076DA29
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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