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J-GLOBAL ID：201802288949642452   Reference number：18A0176459

ミストCVD法によるZnO_xS_1-x混晶薄膜の形成と禁制帯幅の制御

Author (9)： ISHIDA TAKAHIRO (熊本大 大学院) ,  MINAMI KENSUKE (熊本大 大学院) ,  OKITA KOUSHI (熊本大 大学院) ,  SUE KOJI (熊本大 大学院) ,  NAGAOKA SHOJI (熊本産技) ,  NAGAOKA SHOJI (熊本有機薄膜) ,  YATABE ZENJI (熊大 先導機構) ,  NAKAMURA YUSUI (熊本大 大学院) ,  NAKAMURA YUSUI (熊本有機薄膜)
Material： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web)
Volume： 43  Page： 113 (WEB ONLY)  Publication year： Dec. 01, 2017 
JST Material Number： U0757A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  chemical vapor deposition ,  oxide ,  sulfide(chalcogenide) ,  *zinc compound ,  band gap ,  zinc chloride ,  substrate temperature ,  urea compound ,  organosulphur compound
Semi thesaurus term： *mist chemical vapor deposition method ,  oxide semiconductor

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Thiourea

Terms in the title (4)： ミストCVD法 ,  混晶 ,  薄膜 ,  禁制帯