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J-GLOBAL ID：200902110455409014   整理番号：99A0356947

高純度オゾンによる二酸化シリコン作製の光学的第2次高調波(SHG)によるその場表面および界面特性評価

In-situ Surface and Interface Characterization by Optical Second Harmonic Generation(SHG) of Silicon Dioxide Fabrication with High Purity Ozone.

著者 (3件)： NAKAMURA K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KUROKAWA A (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
号： 449  ページ： 326-330  発行年： 1998年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高純度 ,  オゾン ,  二酸化シリコン ,  作製 ,  光学 ,  第2次高調波 ,  SHG ,  界面特性 ,  評価